[发明专利]一种中红外可调谐窄带带通滤波器

权利要求书

1.一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：包括有基底，自基底向顶层，依次设置第一电介质镀层、第二电介质镀层、第三电介质镀层、石墨烯层、第四电介质镀层、第五电介质镀层、光栅层、第六电介质镀层、第七电介质镀层、第八电介质镀层和第九电介质镀层；其中基底、第二电介质镀层、第五电介质镀层、第六电介质镀层和第八电介质镀层为低折射率材料，第一电介质镀层、第三电介质镀层、第四电介质镀层、第七电介质镀层和第九电介质镀层为高折射率材料。

2.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述第三电介质镀层和第四电介质镀层材料相同。

3.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述基底折射率低于第一电介质镀层的折射率。

4.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述高折射率的电介质镀层厚度小于低折射率的电介质镀层厚度。

5.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述第三电介质镀层和第四电介质镀层的厚度之和与其他高折射率电介质镀层的厚度相等。

6.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述第一、七和九电介质镀层的厚度为340~500nm，第三和第四电介质镀层的厚度为170~250nm。

7.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述第二、五、六和八电介质镀层的厚度为600~800nm。

8.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述光栅层厚度为740~940nm。

9.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述光栅层中低折射率材料宽度为720~1680nm。

10.根据权利要求1所述的一种中红外可调谐窄带带通滤波器，其特征在于：所述高折射率材料为氮化硅，低折射率材料为二氧化硅。