[发明专利]改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法

权利要求书

1.一种改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：结合重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线与重离子穿过降能片后在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，计算相同能损时每单位厚度降能片在硅中的等效深度；

步骤二：通过改变待测器件前降能片的厚度，调整重离子布拉格峰在待测器件中的深度，改变待测器件灵敏区处的重离子LET值，结合步骤一中的等效深度及重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，获取在单一离子种类和能量条件下，待测器件在多个LET值点的单粒子效应截面。

2.根据权利要求1所述的改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，其特征在于：

所述步骤一具体为：

1.1、选择入射重离子种类和能量，考虑能散，计算该重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，记下此时布拉格峰的深度位置d1；

1.2、在硅前插入一定厚度d的降能片，计算重离子穿过降能片后在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，记下此时布拉格峰的深度位置d2；

1.3、计算相同能损时每单位厚度降能片在硅中的等效深度β＝(d1-d2)/d。

3.根据权利要求2所述的改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，其特征在于：

所述步骤二具体为：

2.1、将待测器件放置在束线上，待测器件前放置足够厚度的降能片，阻止重离子到达待测器件引起单粒子效应；

2.2、依据设定的步长Δt逐渐移去降能片，使步骤1.1中重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线中的布拉格峰逐渐从待测器件表面向内部灵敏区移动，检测单粒子效应，当单粒子效应达到最大值时，计算此时待测器件的单粒子效应截面，此时对应的LET值为布拉格峰处的LET值，也为该重离子能量条件下LET值的最大值；

2.3、依据步长设定，继续移去Δt厚度的降能片材料，使重离子布拉格峰超过待测器件灵敏区向待测器件深处移动，此时待测器件灵敏区处的LET值减小，单粒子效应截面开始降低；根据移去降能片的厚度及步骤1.3计算得到的相同能损时每单位厚度降能片在硅中的等效深度β，计算当移去Δt厚度的降能片时，重离子布拉格峰在待测器件硅中移动的等效深度βΔt，即布拉格峰距离待测器件灵敏区的距离；基于步骤1.1重离子在硅中的LET值随穿透深度的变化曲线，读取距布拉格峰位置βΔt处时的重离子LET值，即为此时待测器件灵敏区处的重离子LET值；

2.4、重复步骤2.3，随着重离子布拉格峰不断向待测器件深处移动，待测器件灵敏区处的LET值不断减小，单粒子效应截面逐渐降低；此时灵敏区处重离子LET值参照前一个获取的LET值点，依据步骤2.3中的方法依次类推，直到待测器件不出现单粒子效应或效应截面到达最小值则停止该重离子条件下的辐照测试；

2.5、绘制在该重离子时的单粒子效应截面与LET值的关系曲线。

4.根据权利要求3所述的改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，其特征在于：

如该重离子条件下不足以覆盖完整的待测器件单粒子效应截面曲线，选择其它离子种类，重复上述1.1-2.5步骤。

5.根据权利要求1-4任一所述的改变重离子布拉格峰深度测试器件单粒子效应截面的方法，其特征在于：所述降能片为铝、铜或高密度聚乙烯材料。