[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

提供一基板以及该基板上的一图案化层，其中该基板包含多个结构以接受一处理工艺；

形成至少一开口于该图案化层中，其中在一上视图中的该些结构部分地露出于至少一该开口下；

进行一方向性蚀刻，使该图案化层中的至少一该开口于第一方向中的尺寸扩大，以形成至少一扩大的开口于该图案化层中；以及

经由至少一该扩大的开口对该些结构进行该处理工艺，其中每一该些结构沿着第二方向纵向延伸，且第一方向垂直于第二方向。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中进行该方向性蚀刻以形成至少一该扩大的开口的步骤中，在该上视图中至少一该扩大的开口完全露出该些结构。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中在该上视图中至少一该开口不具有一凹角。

4.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中在该上视图中每一该扩大的开口为具有圆润角落的矩形图案。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中在该上视图中至少一该扩大的开口包含两个或更多扩大的开口，且该些扩大的开口沿着第一方向纵向延伸的中心线未对准。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中至少一该扩大的开口包含两个或更多扩大的开口合并。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中至少一该扩大的开口包含两个或更多扩大的开口彼此分离。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中进行该方向性蚀刻的步骤包括对该图案化层进行斜向等离子体蚀刻工艺。

9.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该些结构为多个主动区，且该处理工艺包含离子布植。

10.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该些结构为多个栅极结构，且该处理工艺包括栅极切割工艺。

11.一种半导体装置的形成方法，包括：

提供一基板，且该基板具有多个结构以进行工艺；

形成一图案化层于该基板上；

形成多个孔洞于该图案化层中，而该些孔洞不具有凹角且部分地露出该些结构；

对每一该些孔洞的内侧壁进行一方向性蚀刻工艺，以形成多个延伸的孔洞，且该些延伸的孔洞完全露出该些结构；以及

经由该些延伸的孔洞对结构进行一处理工艺。

12.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中每一该些延伸的孔洞尺寸与其他该些延伸的孔洞尺寸相同。

13.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中每一该些延伸的孔洞彼此分离。

14.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中每一该些孔洞完全露出至少一该些结构。

15.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中至少一该些孔洞完全露出该些结构的一者，且部分地露出该些结构的另一者。

16.一种半导体装置的形成方法，包括：

提供一基板与该基板上的一图案化层，其中该基板具有一区域以进行工艺；

提供一目标图案以对应一开口，且该开口具有至少一凹角且形成于该图案化层中以完全露出该区域；

将该目标图案转为一调整图案，其中该开口分成多个孔洞，且每一该些孔洞不具有凹角；

依据该调整图案形成多个孔洞于该图案化层中；以及

进行一方向性蚀刻扩大每一该些孔洞于一方向的尺寸，以形成多个扩大的孔洞，其中该些扩大的孔洞完全露出该区域。