[发明专利]执行锤击刷新操作和关联操作的存储器设备和存储器系统有效
| 申请号: | 201711128750.7 | 申请日: | 2017-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN108154895B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 方钟敏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 执行 刷新 操作 关联 存储器 设备 系统 | ||
一种存储器系统包括存储器控制器和存储器设备。存储器控制器确定并提供锤击地址。锤击地址是具有大于预定阈值的激活数或频率的地址。存储器设备产生表示锤击刷新操作的定时的锤击刷新信号,所述锤击刷新操作用以刷新存储器设备的第一行,所述第一行在物理上邻近与锤击地址相对应的、存储器设备的第二行。存储器设备使用从存储器控制器提供的锤击地址和由存储器设备产生的锤击刷新信号来执行锤击刷新操作。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月6日在韩国知识产权局(Korean IntellectualProperty Office,KIPO)提交的韩国专利申请第10-2016-0165419号的优先权,其全部内容通过引用并入文本。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及半导体集成电路,并且更具体地,涉及针对被密集访问的行执行锤击刷新操作的存储器设备、包括该存储器设备的存储器系统、以及操作该存储器系统的方法。
背景技术
用于存储数据的半导体存储器设备可被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。易失性存储器设备(诸如动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory,DRAM)设备)可以被配置为通过给存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据,并且在断电时丢失存储的数据。非易失性存储器设备(诸如闪速存储器设备)可以在甚至断电时保持存储的数据。易失性存储器设备被广泛用作各种装置的主存储器,并且非易失性存储器设备被广泛用于将程序代码和/或数据存储在各种电子设备(诸如计算机、移动设备等)中。
在易失性存储器设备中,存储在存储器单元中的单元电荷可能由于泄漏电流而丢失。另外,当字线在激活状态与预充电状态之间频繁地转换时(例如,当字线已经被密集或频繁地访问时),连接到与频繁访问的字线相邻的字线的存储器单元可能受到影响并丢失存储的电荷,从而可能导致数据丢失。存储在存储器单元中的电荷可以通过在由于电荷的泄漏而丢失数据之前再充电来维持。这种单元电荷的再充电被称为刷新操作,并且可以在单元电荷大量丢失之前重复地执行刷新操作。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器系统包括存储器控制器和存储器设备。存储器控制器确定并提供被密集访问的锤击地址。锤击地址是具有大于预定阈值的激活数或频率的地址。存储器设备产生表示锤击刷新操作的定时的锤击刷新信号,所述锤击刷新操作用以刷新存储器设备的第一行,所述第一行在物理上邻近与锤击地址相对应的、存储器设备的第二行。存储器设备使用从存储器控制器提供的锤击地址和由存储器设备产生的锤击刷新信号来执行锤击刷新操作。
根据本发明构思的示例性实施例,一种存储器设备包括锤击地址储存器和定时控制器。锤击地址储存器存储从存储器控制器提供的锤击地址。锤击地址是具有大于预定阈值的激活数或频率的地址。定时控制器使用存储器设备的操作特性来产生锤击刷新信号。锤击刷新信号表示用以刷新存储器设备的行的锤击刷新操作的定时,所述行在物理上邻近与锤击地址相对应的、存储器设备的行。存储器设备使用从存储器控制器提供的锤击地址和由存储器设备产生的锤击刷新信号来执行锤击刷新操作。
根据本发明构思的示例性实施例,一种操作存储器设备的方法包括:由存储器控制器产生锤击地址;将锤击地址从存储器控制器提供给存储器设备;由存储器设备产生表示锤击刷新操作的定时的锤击刷新信号,所述锤击刷新操作用以刷新存储器设备的行,所述行在物理上邻近与锤击地址相对应的、存储器设备的行;以及使用从存储器控制器提供的锤击地址和由存储器设备由存储器设备产生的锤击刷新信号来执行锤击刷新操作。锤击地址是具有大于预定阈值的激活数或频率的地址。
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