[发明专利]一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法

说明书

本发明提供了一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。本发明所提供的检测掩膜版和掩膜台接触面污染的方法，可以实时监控掩膜版和掩膜台接触面的情况。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法。

背景技术

在集成电路制造过程中，一个完整的芯片一般需要经过十几到三十几次的光刻，在这么多次光刻中，都需要使用到掩膜版，其目的是将掩膜版上的图形转移到晶圆上。除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准，其目的是将掩膜版上的图形最大精度的覆盖到晶圆上已存在的图形上。但在掩膜版存放以及机械手臂传送过程中，有时会接触到污染物，从而导致掩膜台在与掩膜版接触过程有时也会受到污染，若掩膜版与掩膜台接触面有污染，将会影响掩膜版对准精度，造成对准误差；并且掩膜版和掩膜台接触面污染会造成掩膜版放置不平而失焦，导致局部区域图案异常，而目前很难对掩膜版和掩膜台接触面污染情况进行实时监测。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，以解决上述问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，包括：

S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；

S2：收集掩膜版对准补偿参数的参考值；

S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；

S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。

可选的，清洗掩膜台之后，对步骤S4中对准后的掩膜版进行焦平面测试。

可选的，对步骤S4中对准后的掩膜图案进行失焦检测。

可选的，所述掩膜版上选取4个以上的测试点进行焦平面测试。

可选的，步骤S4中的对准完成后，对所述晶圆曝光，曝光完成后，收集所述晶圆的正交参数。

可选的，所述正交参数满足正态分布。

可选的，所述掩膜版上设有对准标记。

可选的，所述对准标记大于等于4个。。

本发明所提供的检测掩膜版和掩膜台接触面污染的方法，通过掩膜版对准补偿参数来判断掩膜版和掩膜台接触面是否存在污染，可以实时监控掩膜版和掩膜台接触面的情况，及时发现异常，避免大规模的出现异常产品，并且通过正交参数和焦平面测试来辅助验证掩膜版和掩膜台接触面的情况，使检测结果更加准确，减少误判和漏判。

附图说明

图1是光刻机A对准补偿参数的分布图；

图2是光刻机B对准补偿参数的分布图；

图3是正交参数的分布图；

图4是正交参数的离散分布图；