[发明专利]碳化锆-碳化硅复合粉体材料及其制备方法有效
申请号: | 201711126902.X | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN107721429B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 许文涛;周有福;王志光;卢帅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所;中国科学院近代物理研究所 |
主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C04B35/571;C04B35/626 |
代理公司: | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人: | 张莹 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化 碳化硅 复合 材料 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种碳化锆‑碳化硅复合粉体材料,所述碳化锆‑碳化硅复合粉体材料中组分的摩尔比满足ZrC:SiC=1:0.1~1:10;其制备工艺简单,成本低、过程易于控制;得到的碳化锆‑碳化硅复合粉体材料具有亚微米级、成分均匀、高纯度的优点。
技术领域
本申请涉及一种碳化锆-碳化硅复合粉体材料及其制备方法,属于无机非金属材料领域。
背景技术
碳化物陶瓷是优异的结构陶瓷材料,在高温、腐蚀、辐照等极端条件下,仍能保持良好机械性能,可应用于航空航天、核堆反应器、硬质合金加工、高温结构件等领域。单相的碳化物断裂韧性低、抗高温氧化性差,大大限制了其应用。近年来,基于两相材料特点,实现复合材料性能加和与互补,成为研究热点。碳化锆-碳化硅复合材料可以综合ZrC优异的耐高温、抗辐照性能以及SiC的高温抗氧化性能,通过两相复合,调控晶粒生长,可进一步提高复合材料的机械性能。由于碳化物的强共价键,低自扩散系数等特性,其烧结活性差。碳化锆-碳化硅超细复合粉体具有高表面活性,可有效降低烧结温度并促进致密化,同时实现两相均匀分布,得到显微结构与性能优异的复合材料,已获得研究人员的广泛关注。
目前制备复合陶瓷粉体的方法主要有以下方法:(1)固相混合法,通过机械混料将碳化物直接研磨混合,或者将相应氧化物/金属单质与碳单质原料机械混料后高温固相反应,如专利CN 103288454 A将锆盐、硅粉、酚醛树脂球磨混合,在1500~1800℃进行热处理,制备粒径约50μm的碳化锆-碳化硅复合粉体。该方法简单,但两相成分难以混合均匀,反应温度高,获得的粉体极易团聚结块,其形貌、粒度分布难以控制。(2)液相前驱体法,以有机锆、有机硅烷化合物溶于有机溶剂,聚合反应后,高温裂解制备碳化物复合材料,如专利CN105237773 A将二氯二茂锆、卤代硅烷单体、催化剂等溶于有机溶剂,过滤浓缩后,在2500℃高温下陶瓷化。该方法混料均匀,但原料成本高昂,同时大量有机溶剂易污染环境,且硅源与碳源并不独立,不易调节复合物Zr/Si比例而易造成碳残留。(3)溶胶-凝胶法,采用金属醇盐,加入表面活性剂等,缓慢水解,形成均一凝胶,热处理后可获得纳米尺度粉体材料。如Tao Cai等采用四丁醇锆、聚甲基硅乙炔基硅烷为原料获得凝胶后,1700℃反应,得到粒径100~300nm,成分分布均匀的碳化锆-碳化硅复合粉体。该方法的原料成分复杂、成本高,且陈化时间长、过程难控制,限制了其工业化大规模应用。
发明内容
根据本申请的一个方面,提供了一种碳化锆-碳化硅复合粉体材料,该材料尺寸达到亚微米级、粒径分布均匀、结晶纯度高、无杂相、颗粒团聚小。
所述碳化锆-碳化硅复合粉体材料中组分的摩尔比满足ZrC:SiC=1:0.1~1:10。
优选地,所述碳化锆-碳化硅复合粉体材料的粒径为100nm~1μm。
优选地,所述碳化锆-碳化硅复合粉体材料的粒径为200nm~500nm。
本申请的另一方面,提供了制备所述的碳化锆-碳化硅复合粉体材料的方法,至少包含以下步骤:
(1)将含有锆源、碳源、硅源的混合溶液,进行水热反应,得到水热前驱体;
(2)在非活性气体氛围下,将步骤(1)中得到的前驱体进行煅烧,得到成分为氧化锆-氧化硅-碳的热解前驱体;
(3)将步骤(2)的热解前驱体在惰性气体氛围下,进行碳化还原反应,得到所述碳化锆-碳化硅复合粉体材料。
优选地,步骤(1)中所述锆源选自氯氧化锆、硝酸氧锆、硝酸锆、硫酸锆中至少一种;
所述碳源选自碳水化合物中的至少一种;
所述硅源选自甲基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、正硅酸乙酯、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。
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