[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：

一P型半导体层；

一N型半导体层；

一发光层，位于所述P型半导体层与所述N型半导体层之间；以及

一P型氮化镓系载子活性层，位于所述P型半导体层与所述发光层之间，所述P型氮化镓系载子活性层的材质包括铝与铟至少一者，且所述P型氮化镓系载子活性层掺杂有碳以及镁，其中所述碳的掺杂浓度为5×10¹⁶～5×10¹⁸cm^-3。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述镁掺质的掺杂浓度大于10¹⁸cm^-3。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还包括一载子阻隔层，位于所述N型半导体层与所述发光层之间。

4.如权利要求3所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述载子阻隔层的能隙高于所述发光层的能隙。

5.如权利要求3所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述载子阻隔层的材质包括N型氮化铝镓。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述发光层具有多重量子井结构，所述多重量子井结构包含复数个彼此交替堆叠的井层及阻障层，所述P型氮化镓系载子活性层紧邻于所述多重量子井结构，且所述P型氮化镓系载子活性层的能隙大于所述阻障层的能隙。

7.如权利要求6所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还包括一载子阻隔层，所述载子阻隔层位于所述N型半导体层与所述发光层之间，其中所述载子阻隔层的材质包括N型氮化铝镓。

8.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：

一P型半导体层，包含有一碳富集层，其中所述碳富集层材质包括Al-In-Ga-N且掺杂有镁掺质及碳掺质；

一N型半导体层；以及

一发光层，位于所述P型半导体层与所述N型半导体层之间，且所述碳富集层位在所述P型半导体层的邻近于所述发光层的一侧。

9.如权利要求8所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述发光层具有多重量子井结构，所述多重量子井结构包含复数个彼此交替堆叠的井层及阻障层，所述碳富集层紧邻于所述多重量子井结构，且所述碳富集层的能隙大于所述阻障层的能隙。

10.如权利要求9所述的氮化物半导体结构，其特征在于，所述碳富集层的能隙大于所述阻障层的能隙1％～15％。