[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，是具备二极管的半导体装置的制造方法，其中，具有：

通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的包含第一范围和第二范围的范围整体注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的第一工序；

通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的第二工序；

在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的第三工序；及

在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的第四工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在所述结晶化的工序中，通过将波长比所述激光短的激光向所述第一表面照射，来对所述第一范围进行加热。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

在所述第一范围形成二极管，

在所述第二范围形成IGBT。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

所述第一工序和所述第二工序以使所述晶体缺陷密度上升的区域位于比非晶形化的所述区域靠所述第二表面侧的方式实施。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

所述带电粒子为电子、氦离子或氢离子。