[发明专利]LTPS薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种LTPS薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，LTPS薄膜晶体管的制作方法，包括：通过一次构图工艺在衬底基板上形成遮光图形和所述LTPS薄膜晶体管的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述遮光图形在所述衬底基板上的正投影中，所述遮光图形采用半导体材料制成。本发明的技术方案能够降低低温多晶硅阵列基板的制作成本，有效提升低温多晶硅阵列基板的产能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种LTPS薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)背板技术由于其高的迁移率带来的高的开口率、可以实现GOA(Gate Drive on Array，栅极集成驱动)等原因，使得基于该技术的显示面板相比于基于a-Si(非晶硅)技术的显示面板具有更加优良的显示效果，正在受到越来越大的重视，也是现在小尺寸LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)的一个重要分支。但是现有的LTPS阵列基板具有工艺复杂，成本较高的问题，相比于传统a-Si阵列基板需要4～5道Mask工艺来制作，LTPS阵列基板需要9道以上的Mask工艺来制作，使得LTPS阵列基板的生产成本较高，并且制约了LTPS阵列基板的产能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种LTPS薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，能够降低低温多晶硅阵列基板的制作成本，有效提升低温多晶硅阵列基板的产能。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种LTPS薄膜晶体管的制作方法，包括：

通过一次构图工艺在衬底基板上形成遮光图形和所述LTPS薄膜晶体管的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述遮光图形在所述衬底基板上的正投影中，所述遮光图形采用半导体材料制成。

进一步地，所述遮光图形采用的半导体材料的导电系数大于非晶硅的导电系数。

进一步地，利用重掺杂非晶硅制成所述遮光图形。

进一步地，所述制作方法具体包括：

在所述衬底基板上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成重掺杂非晶硅层；

在所述重掺杂非晶硅层上形成第二缓冲层；

在所述第二缓冲层上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上涂覆光刻胶，进行曝光后形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，去除光刻胶去除区域的重掺杂非晶硅层、第二缓冲层和所述多晶硅层，形成所述遮光图形和所述有源层；

剥离光刻胶保留区域的光刻胶。

进一步地，所述在所述第一缓冲层上形成重掺杂非晶硅层包括：

通过等离子体增强化学气相沉积PECVD在所述第一缓冲层上形成所述重掺杂非晶硅层。

本发明实施例还提供了一种LTPS薄膜晶体管，采用如上所述的制作方法制作得到。

进一步地，在所述遮光图形采用重掺杂非晶硅制成时，所述遮光图形的厚度为

本发明实施例还提供了一种LTPS阵列基板的制作方法，采用如上所述的制作方法在衬底基板上制作LTPS薄膜晶体管。

本发明实施例还提供了一种LTPS阵列基板，包括位于衬底基板上的如上所述的LTPS薄膜晶体管。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的LTPS阵列基板。