[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201711121551.3 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108130592B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 高超;窦文涛;李加林;张红岩;刘家朋;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C01B32/984 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻;杨婷 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 半绝缘碳化硅单晶 本征点缺陷 半绝缘 制备 引入 掺杂 能级 晶体生长过程 晶体生长技术 晶体电阻率 快速降温 电活性 晶体的 减小 生长 调控 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，其特征在于：其具体步骤为：
(1)将Si粉与C粉混合均匀，备用；
(2)将IVA族元素置于石墨容器内，备用；
(3)将盛放IVA族元素的石墨容器放置在石墨坩埚底部中心的位置，然后将混合均匀的Si粉和C粉填充于石墨坩埚内，使石墨容器埋于Si粉和C粉中；
(4)将石墨坩埚放置于SiC原料合成炉内后，密封炉膛；
(5)将炉膛内的压力抽真空至10-3 Pa并保持2-5h后，逐步向炉腔内通入保护气氛；
(6)以30-50mbar/h的速率将炉膛压力提升至600-800mbar，同时以10-20℃/h的速率将炉膛内的温度提升至1900-2100℃，在此温度下保持20-50h，完成原料合成过程；
(7)原料合成过程结束后，停止加热炉膛，使炉膛温度自然降低至室温后，打开炉膛取出石墨坩埚，即可得到含有IVA族元素的SiC合成料；
(8)使用含有IVA族元素的SiC合成料进行SiC单晶生长；
所述的IVA族元素为Ge或Sn；
所述的IVA族元素与C粉的摩尔比为10-6:1至10-4:1之间；
SiC单晶衬底整体电阻率高于1E12Ω·cm。
2.根据权利要求1所述的一种高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法，其特征在于：所述的Si粉和C粉的摩尔比为1-1.05:1。
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