[发明专利]刻蚀腔体的聚合物清洁方法

权利要求书

1.一种刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、收集刻蚀腔体的前批次晶圆的透光率；所述前批次晶圆的透光率是指所述前批次晶圆的刻蚀工艺之前进行的光刻工艺的光刻层的光刻胶在曝光时的透光率；

步骤二、在后批次晶圆的刻蚀工艺之前，根据收集到的所述前批次晶圆的透光率计算所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数，利用所述前批次晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数的相关性使所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数调节到能消除所述后批次晶圆的首枚晶圆的关键尺寸的漂移；

步骤三、根据步骤二中设定的参数进行所述刻蚀腔体的自清洁工艺，实现对所述刻蚀腔体的腔壁上的聚合物的清洁；

步骤四、进行所述后批次晶圆的刻蚀工艺。

2.如权利要求1所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：在步骤一之前还包括步骤：建立晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数的第一关系式和对应的第一关系曲线的步骤。

3.如权利要求2所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述前批次晶圆的刻蚀工艺和所述后批次晶圆的刻蚀工艺相同。

4.如权利要求2所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：对每一种所述刻蚀工艺都建立对应的所述第一关系式和所述第一关系曲线；各种所述刻蚀工艺对应的步骤二中都按照对应的所述第一关系式或所述第一关系曲线进行所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数的调整。

5.如权利要求1所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述前批次晶圆的透光率和所述后批次晶圆的透光率相同；

或者，所述前批次晶圆的透光率和所述后批次晶圆的透光率不相同，此时，步骤二中需要将所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数调节到能消除聚合物的累积从而能消除所述后批次晶圆的首枚晶圆的关键尺寸的漂移。

6.如权利要求2所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数包括：工艺时间，工艺气体流量。

7.如权利要求6所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：

所述第一关系式为晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的工艺时间之间的关系式，所述第一关系曲线为晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的工艺时间之间的关系曲线；

或者，所述第一关系式为晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的工艺气体流量之间的关系式，所述第一关系曲线为晶圆的透光率和所述刻蚀腔体的自清洁工艺的工艺气体流量之间的关系曲线。

8.如权利要求2或6或7所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述第一关系曲线包括线性区间和饱和区间。

9.如权利要求8所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述线性区间为所述刻蚀工艺的工艺窗口覆盖的区间，步骤二中所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数在所述线性区间内调节。

10.如权利要求1或2所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：步骤二中采用先进过程控制系统自动收集所述前批次晶圆的透光率。

11.如权利要求10所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：步骤二中采用先进过程控制系统自动进行所述刻蚀腔体的自清洁工艺的参数调节。

12.如权利要求6所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述刻蚀腔体的自清洁工艺的工艺气体包括含氟气体，氧气。

13.如权利要求12所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：所述含氟气体包括NF₃。

14.如权利要求1所述的刻蚀腔体的聚合物清洁方法，其特征在于：各批次晶圆的关键尺寸为65nm以下。