[发明专利]真空处理腔室中的氢分压控制有效
申请号: | 201711121327.4 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN108070849B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | J·厄赫;H·K·波内坎蒂 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;金红莲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 中的 氢分压 控制 | ||
1.一种从沉积腔室去除副产物的方法,包括:
使一种或多种处理气体流入所述沉积腔室的处理容积;
在设置在所述处理容积中的基板上沉积层,其中在沉积所述层期间在所述处理容积内由所述一种或多种处理气体形成气体的含氢副产物;
使反应气体流动到与所述处理容积耦接的真空前级管线内,其中所述真空前级管线包含所述气体的含氢副产物;
使所述反应气体与所述气体的含氢副产物的至少一部分在所述真空前级管线中反应以形成气体的反应产物,其中所述气体的反应产物包含分子质量高于所述气体的含氢副产物的分子质量的分子;以及
将所述气体的反应产物泵送出所述真空前级管线。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述气体的含氢副产物包含原子氢、氢离子、氢自由基或它们的组合。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述反应气体选自由氧气(O2)气体、臭氧(O3)、一氧化二氮(N2O)、三氟化氮(NF3)或它们的组合组成的组。
4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括激发所述反应气体。
5.根据权利要求4所述的方法,其中激发所述反应气体包括将所述反应气体暴露于紫外线源、远程RF等离子体、电容耦合的等离子体、电感耦合的等离子体、变压器耦合的等离子体(TCP)、微波、热能或它们的组合中的至少一种。
6.一种从沉积腔室去除副产物的方法,包括:
在设置在所述沉积腔室的处理容积中的基板上沉积层,其中在沉积所述层期间在所述处理容积内形成了气体的含氢副产物;
使用通过真空前级管线与所述处理容积流体耦接的真空泵来抽空所述处理容积,其中抽空所述处理容积将所述气体的含氢副产物递送到所述真空前级管线内;以及
使反应气体流入所述真空前级管线,其中所述反应气体与所述气体的含氢副产物的至少一部分在所述真空前级管线中反应以形成气体的反应产物,所述反应产物包含分子质量高于所述气体的含氢副产物的分子质量的分子。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述气体的含氢副产物包含原子氢、氢离子、氢自由基或它们的组合。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述反应气体选自由氧气(O2)气体、臭氧(O3)、一氧化二氮(N2O)、三氟化氮(NF3)或它们的组合组成的组。
9.根据权利要求6所述的方法,进一步包括在使所述反应气体流入所述真空前级管线之前激发所述反应气体。
10.根据权利要求6所述的方法,进一步包括激发所述真空前级管线中的所述反应气体。
11.根据权利要求10所述的方法,其中激发所述反应气体包括将所述反应气体暴露于紫外线源、远程RF等离子体、电容耦合的等离子体、电感耦合的等离子体、变压器耦合的等离子体(TCP)、微波、热能或它们的组合中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括在使所述反应气体流入所述真空前级管线之前,停止所述沉积腔室与所述真空前级管线之间的气体流动。
13.根据权利要求6所述的方法,其中所述反应气体流入与所述真空前级管线流体耦接的反应腔室并与所述反应腔室中的所述气体的含氢副产物反应。
14.根据权利要求13所述的方法,其中在所述反应腔室中激发所述反应气体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的