[发明专利]非隔离多端口变换器有效

专利信息
申请号: 201711121176.2 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN107896058B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 张艺;朱洪雨;刘青;张东来 申请(专利权)人: 深圳市航天新源科技有限公司;深圳航天科技创新研究院
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 孙伟
地址: 518000 广东省深圳市南山区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 隔离 多端 变换器
【权利要求书】:

1.一种非隔离多端口变换器,其特征在于,所述非隔离多端口变换器是由三端口变换器以立体式或复合式扩展而得到的多端口变换器;

所述三端口变换器以立体式扩展而得到的多端口变换器为立体式扩展多端口变换器,所述立体式扩展多端口变换器包括:所述三端口变换器,以及由所述三端口变换器的第二端口支路向外立体扩展的若干第n支路,其中n大于3,各第n支路相互并联,且分别通过电感连接至所述第二端口支路的两个MOS管之间,每一第n支路的结构与所述第二端口支路相同;

其中,所述三端口变换器包括依次连接的第一端口支路、第二端口支路和第三端口支路,其中,所述第一端口支路的端口为能量输入端口,所述第二端口支路和第三端口支路的端口均为能量输出端口,所述第一端口支路与第二端口支路之间,以及所述第二端口支路与第三端口支路之间通过电感连接;

所述第一端口支路、第二端口支路和第三端口支路均包括:两个MOS管和一电容,两个MOS管中的第一MOS管的漏极连接所述电容,第一MOS管的源极连接第二MOS管的漏极;所述第二MOS管的源极连接参考地;连接各支路的电感的两端,对应连接在各支路的两MOS管之间。

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