[发明专利]一种芯片势垒前的清洗装置有效
申请号: | 201711120271.0 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107799446B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 杨亚峰;杨正铭;赵顺;孙培;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08 |
代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全;葛军 |
地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 势垒前 清洗 装置 | ||
一种芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺。涉及集成电路制造领域,尤其涉及芯片势垒前的清洗工艺。提供了一种方便加工,有效去除水分,提高产品质量的芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺。包括箱体,所述箱体的中间设有通过驱动器驱动的支撑台,所述支撑台上设有若干框架,若干框架呈环形均布设置,所述框架用于放置若干晶圆,所述箱体的顶口铰接设有箱盖,所述箱盖的中心设有喷管,所述喷管位于箱盖的上部连通管道一和管道二、位于箱盖的下部设有若干喷口。本发明操作可靠,保证了产品的质量。
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,尤其涉及芯片势垒前的清洗工艺。
背景技术
芯片势垒清洗工艺过程后管芯里面的si与金属结合,但是在清洗后si表面会出现的水渍残留,在势垒腐蚀后发现管芯出现异常圆点尺寸大小15um 不等,出现此异常的管芯出现IR异常导致芯片报废,且无法返工;
水渍残留原因:势垒清洗时,悬挂的硅原子会和水发生化合反应生成非定型的可溶解性的硅胶,残留的水滴蒸发后会在硅表面留下硅胶和SIO2。
现有技术中HF 结尾工艺,水在其表面的接触角在60~80之间,接触角越大,表面张力越强,需要足够的离心力去除,惯性质量小(水滴的大小),所需要的离心力就越大,转速越高,水珠的甩干效果越佳,但FSI机台本身的限制,最高转速为500RPM/MIN,靠离心力不足以将表面水珠完全甩出芯片。
发明内容
本发明针对以上问题,提供了一种方便加工,有效去除水分,提高产品质量的芯片势垒前的清洗装置及清洗工艺。
本发明的技术方案是:包括箱体,所述箱体的中间设有通过驱动器驱动的支撑台,所述支撑台上设有若干框架,若干框架呈环形均布设置,所述框架用于放置若干晶圆,所述箱体的顶口铰接设有箱盖,所述箱盖的中心设有喷管,所述喷管位于箱盖的上部连通管道一和管道二、位于箱盖的下部设有若干喷口。
所述管道二用于连接雾化机构,所述雾化机构包括雾化器,所述雾化器内设有氢氟酸,所述雾化器内连通氮气。
所述箱体的底部设有排水口,箱盖上设有排气口,所述排气口内设有单向阀。
若干喷口设在喷管的一侧、且沿着喷管的中心线设置。
所述喷管位于箱盖的下部均布设有湿度传感器,所述湿度传感器位于喷管的另一侧。
所述箱体内可拆卸设有分隔组件,所述分隔组件包括若干平行设置的隔板和一框体,所述隔板具有用于放置喷管的中孔,若干隔板之间支杆连接,所述隔板位于相邻湿度传感器之间,
所述隔板上设有穿孔,所述框体位于若干隔板的穿孔内,所述框体上可拆卸设有朝向喷口的挡板。
所述挡板上设有吸附层。
一种芯片势垒前的清洗装置的清洗工艺,包括以下步骤:
1)将若干晶圆放入箱体内;
2)清洗,管道一依次通入浓H2SO4和H2O2对晶圆表面进行清洗;
3)一次测量湿度,通过中心湿度传感器测量箱体内的湿度;
4)一次甩干,将氢氟酸进行加压雾化形成氢氟酸雾,对晶圆表面进行甩干;
5)二次测量湿度,若干湿度传感器同时测量箱体内不同区域的湿度;
6)先在框体的相应部位放上挡板,再将分隔组件中的隔板放入箱体内,最后,框体放入隔板的穿孔内;
7)二次甩干,将氢氟酸进行加压雾化形成氢氟酸雾,对晶圆表面进行甩干;
8)完成、取出。
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