[发明专利]一种中高压化成箔及其化成方法

说明书

本发明涉及化成箔制备技术领域，具体涉及一种中高压化成箔及能提高比容转化率的中高压化成箔化成方法。本发明中高压化成箔化成方法，包括腐蚀箔→前处理→一级化成→二级化成→三级化成→四级化成→中处理→后处理。本发明一种中高压化成箔化成方法，可去除氧化膜表面的水合氧化物，从而抑制氧化膜的增厚，达到提升比容的目的，同时化成箔其余性能参数不受影响，中高压化成箔比容转化率可达到1.05～1.09；另外本发明化成箔的化成方法，降低了对腐蚀箔的采购要求，货源充足，方便采购，对于相同的腐蚀箔，生产同规格化成箔，比容约有5～10％的提升，同时降低腐蚀箔的比容要求，从而降低生产成本，增加利润空间。

技术领域

本发明涉及化成箔制备技术领域，具体涉及一种中高压化成箔及能提高比容转化率的中高压化成箔化成方法。

背景技术

化成箔是由特制的高纯铝箔经过电化学或化学腐蚀后扩大表面积，再经过电化成作用在表面形成一层氧化膜(三氧化二铝)后的产物。按电压分，化成铝箔一般分为极低压，低压，中高压和高压四种。按厚度分，25～110微米不等；按用途分，有正箔和负箔，也有导箔。

比容是化成箔最重要的性能指标之一，每0.05uf/cm²的差异即可划分一个等级，化成箔比容决定了化成箔的价值，腐蚀箔比容与化成箔比容成正比关系，决定其比容转换率的就是生产工艺，现有生产线工艺大致分为以下几种工艺：A工艺(纯硼酸工艺)，B工艺(混酸工艺1)，C工艺(混酸工艺2)，D工艺(有机酸工艺)。对比不同工艺，其中A工艺比容转换率最低0.85～0.9，D工艺比容转换率最高1.0～1.05，B工艺与C工艺比容转换率大致相同0.9～1.0。主要区别也是氧化膜厚度不同，A工艺氧化膜较厚，化成后造成容量的损失，D工艺氧化膜相对较薄，化成后容量基本都是提升的，B工艺与C工艺为混酸工艺，氧化膜厚度介于A、D工艺之间，化成后容量有一定的提升。由于升压时间、水煮时间、漏电流等性能差异太大，满足不了市场要求，A和D工艺基本淘汰，目前大多使用B和C工艺，比容转换率在0.9～1之间。

申请号为“200710194317.3”，发明名称为“中高压铝电解电容器用化成箔的制造方法”，公开了一种主要经过六次化成，并调整相应的步骤两次高温处理和相应的附加步骤，相比于纯硼酸工艺(上述A工艺)，其转化率及折弯转化率都有了较多的提升，但是该工艺化成步骤较多，工艺较复杂，比容转化率和折弯转化率较低，不能满足现有市场的需求。

申请号为“201310122537.0”，发明名称为“一种提高铝电解电容用中高压阳极铝箔化成工艺”，公开了一种中高压提高“铝电解电容器”用阳极箔容量提升、降低升压时间Tr和Tr60六级化成工艺，主要为将电解腐蚀处理后的铝箔在50-100℃的纯水中进行处理，在一、二、三级用植酸、柠檬酸盐溶液中化成；在四、五、六级用植酸、硼酸、柠檬酸盐溶液中化成；去极化处理采用热处理和磷酸处理方法。虽然其性能有了部分提升，但是其比容提升较少，升压时间还是较长，不能满足现有市场的需求。

综上所述，现有工艺类型比容转换率高的，其他参数满足不了市场需求；比容转化率低的，利润空间不大，采购比较困难。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种比容转化率高、升压时间短、成本低的中高压化成箔化成方法。

本发明一种中高压化成箔化成方法，包括腐蚀箔→前处理→一级化成→二级化成→三级化成→四级化成→中处理→后处理，其中所述一级化成为：对前处理后的腐蚀箔进行加电压，至达到生产的化成箔要求规格的正向电压VF值的40％～45％，设定温度为86～90℃，向一级化成液中加入一级化成液总重量4.3～4.8‰的NH₄H₂PO₄；电导率及pH值根据生产规格而定；