[发明专利]光感测装置

权利要求书

1.一种光感测装置，其特征在于，包括：

一非可见光转换基板，用以将一非可见光转换成一可见光；

一感光元件，配置于该非可见光转换基板上，以感测该可见光，该感光元件包括：

一第一电极与一第二电极；以及

一光电转换层，设置于该第一电极与该第二电极之间，其中，该第一电极接近该非可见光转换基板，该第二电极远离该非可见光转换基板，且该第一电极的材料包括透明或半透明材料；

一第一保护层，覆盖该非可见光转换基板以及该感光元件的该第二电极，其中，该第一保护层具有一开口，该开口与该第二电极的至少一部分重叠；

一薄膜晶体管，设置于该非可见光转换基板上，其中，该薄膜晶体管包括一栅极、一半导体层、一栅极绝缘层、与该半导体层电性连接的一源极与一漏极，该半导体层位于该栅极与该源极之间以及该栅极与该漏极之间，且该栅极绝缘层位于该半导体层与该栅极之间；

一第一导电图案，设置于该第一保护层上，其中，该第一导电图案通过该第一保护层的该开口与该感光元件的该第二电极电性连接，且该第一导电图案电性连接于该感光元件的该第二电极与该薄膜晶体管的该源极之间；以及

一第二保护层，覆盖该薄膜晶体管、该第一导电图案以及该感光元件；

其中，至少部分的该第一导电图案的宽度小于该源极的宽度。

2.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该光感测装置更包括：

一数据线，设置于该非可见光转换基板上且与该漏极电性连接；以及

一扫描线，设置于该非可见光转换基板上且与该栅极电性连接。

3.如权利要求2所述的光感测装置，其特征在于，更包括：

一第二导电图案，电性连接于该栅极与该扫描线之间，其中，该第二导电图案设置于该栅极绝缘层上，该第二保护层覆盖该第二导电图案。

4.如权利要求3所述的光感测装置，其特征在于，至少部分的该第二导电图案的宽度小于与该栅极的宽度。

5.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该第一导电图案更覆盖该感光元件。

6.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

7.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该源极与该漏极设置于该第一保护层上，该半导体层、该栅极绝缘层与该栅极设置于该源极与该漏极上。

8.如权利要求7所述的光感测装置，其特征在于，该第一导电图案设置于该栅极绝缘层与该第一保护层之间。

9.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该栅极表面与该第二保护层表面之间的距离小于该第一导电图案表面与该第二保护层表面之间的距离。

10.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，更包括：

一遮光图案，设置于该非可见光转换基板与该薄膜晶体管之间，其中该遮光图案与该半导体层的至少一部分重叠。

11.如权利要求10所述的光感测装置，其特征在于，该遮光图案具有一预定电位。

12.如权利要求10所述的光感测装置，其特征在于，该遮光图案与该薄膜晶体管的该漏极电性连接。

13.如权利要求10所述的光感测装置，其特征在于，该遮光图案与该感光元件的该第一电极电性连接。

14.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该非可见光转换基板包括一第一基底以及一设置于该第一基底上的非可见光波长转换材料。

15.如权利要求1所述的光感测装置，其特征在于，该非可见光转换基板包括一第一基底以及一混合于该第一基底中的非可见光波长转换材料。