[发明专利]一种氮化镓异质结横向整流器在审
申请号: | 201711119247.5 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107910370A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 陈万军;崔兴涛;施宜军;李茂林;刘杰;刘超;周琦;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/47;H01L21/331 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 镓异质结 横向 整流器 | ||
1.一种氮化镓异质结横向整流器,包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)、AlGaN层(3)和SiN层(4),所述GaN层(2)和AlGaN层(3)形成异质结;所述器件两端分别具有混合阳极结构和欧姆阴极结构,所述混合阳极结构具有复合绝缘栅极结构和欧姆阳极结构,所述欧姆阳极结构和欧姆阴极结构以器件的垂直中线呈对称分布;所述欧姆阳极结构为与AlGaN层(3)接触形成阳极欧姆接触电极(6);所述欧姆阴极结构为与AlGaN层(3)接触形成阴极欧姆接触电极(8);所述器件的复合绝缘栅极结构位于阳极欧姆接触电极(6)靠近阴极欧姆接触电极(8)的一侧并与阳极欧姆接触电极(6)接触,复合绝缘栅极结构包括增强型绝缘栅结构和耗尽型绝缘栅结构,所述增强型绝缘栅结构包括通过刻蚀AlGaN层(3)形成的凹槽(9)和覆盖在凹槽(9)中的绝缘栅介质(5),以及覆盖在绝缘栅介质(5)上的肖特基金属栅电极(7),肖特基金属栅电极(7)与阳极欧姆接触电极(6)接触;所述耗尽型绝缘栅结构包括直接覆盖在AlGaN层(3)表面的绝缘栅介质(5),以及覆盖在栅介质上的肖特基金属栅电极(10)。
2.根据权利要求1所述的氮化镓异质结横向整流器,其特征在于,所述绝缘栅介质(5)采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种。
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