[发明专利]一种电流源校准装置及方法在审
| 申请号: | 201711117183.5 | 申请日: | 2017-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN107733433A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
| 发明(设计)人: | 曹淑新;张莉莉 | 申请(专利权)人: | 英特格灵芯片(天津)有限公司 |
| 主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所11309 | 代理人: | 陈霁 |
| 地址: | 300457 天津市滨海新区天津开发*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 校准 装置 方法 | ||
1.一种电流源校准装置,其特征在于,包括:电流源充放电通路(01)、误差检测单元(02)和数字校准逻辑单元(03);
所述电流源充放电通路(01),用于对校准电容进行充放电;
所述误差检测单元(02),用于检测所述校准电容充放电过程中的电路充电速率和放电速率,并产生误差结果;
所述数字校准逻辑单元(03),根据所述误差结果和时钟信号,产生控制信号;所述电流源充放电通路根据所述控制信号对电流源进行校准。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电流源充放电通路(01),包括:主P型电流源IP、P型电流源修调单元(011)、主N型电流源IN、N型电流源修调单元(012)、第一负载电容CL1、第二负载电容CL2、开关S1、开关S2、开关SP_en、开关SN_en和校准电容Ccal;
所述主P型电流源IP输入端与电源相连,输出端与所述第一负载电容CL1一端连接,所述第一负载电容CL1另一端与开关S1相连;所述主N型电流源IN输出端与地相连,输入端与所述第二负载电容CL2一端连接,所述第二负载电容CL2另一端与开关S2相连;所述开关S1和开关S2共同与校准电容Ccal相连;所述P型电流源修调单元(011)并联在所述主P型电流源IP上,所述N型电流源修调单元(012)并联在所述主N型电流源IN上;
其中,所述P型电流源修调单元由m bit P型电流源单元Ip1~Ipm和开关Sp1~Spm构成;所述N型电流源修调单元由m bit N型电流源单元In1~Inm和开关Sn1~Snm构成。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述误差检测单元(02)包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一比较器A1、第二比较器A0和逻辑单元异或XOR;其中,第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3依次串联在电源和地之间,所述第一比较器A1和所述第二比较器A0的正端与所述校准电容Ccal正端相连,所述第一比较器A1负端接入所述第一电阻R1和第二电阻R2之间,所述第二比较器A0负端接入所述第二电阻R2和第三电阻R3之间;所述第一比较器A1和所述第二比较器A0通过对电源分压产生电压VREF1和VREF0作为比较器A1和A0的阈值电平;所述第一比较器A1和所述第二比较器A0产生的第一结果D1和第二结果D0输入所述逻辑单元异或XOR,产生误差结果。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述数字校准逻辑单元(03)对所述误差检测单元(02)产生的所述误差结果通过与时钟CLK进行处理产生m bit位控制逻辑,用于控制P型电流源修调单元(011)和N型电流源修调单元(012)中的开关的状态。
5.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述P型电流源修调单元(011)和N型电流源修调单元(012)中m bit控制位是温度计码,即Ip1=Ip2=…=Ipm,In1=In2=…=Inm。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述P型电流源修调单元(011)和N型电流源修调单元(012)中m bit控制位是二进制码,即Ipm=2*Ip(m-1)=…=2^(m-1)*Ip1,Inm=2*In(m-1)=…=2^(m-1)*In1。
7.一种电流源校准方法,其特征在于,包括:
电流源充放电通路(01)对校准电容进行充放电;
误差检测单元(02)检测所述校准电容充放电过程中的电路充电速率和放电速率,并产生误差结果;
数字校准逻辑单元(03)根据所述误差结果和时钟信号,产生控制信号;所述电流源充放电通路根据所述控制信号对电流源进行校准。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,电流源充放电通路中的主P型电流源IP、开关SP_en和校准电容Ccal构成电流源充电通路,对电容Ccal的进行充电;
电流源充放电通路中的主N型电流源IN、开关SN_en和校准电容Ccal构成电流源放电通路,对所述电容Ccal进行放电。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特格灵芯片(天津)有限公司,未经英特格灵芯片(天津)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711117183.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





