[发明专利]一种加热用基板、加热板、湿化器及其加工方法

权利要求书

1.一种加热用基板，包括基板本体，其特征在于，所述基板本体表面设有与基板本体冶金结合的氧化物陶瓷层；优选的，所述冶金结合为氧化物陶瓷层在基板本体表面经微弧氧化处理得到。

2.根据权利要求1所示加热用基板，其特征在于，所述氧化物陶瓷层的厚度为10μm-100μm，优选20-60μm，更优选的，其热导率超过20W/m.K，击穿电压>500V。

3.根据权利要求1或2所示加热用基板，其特征在于，所述氧化物陶瓷层表面有微孔，且微孔中填充封闭有封孔剂；所述封孔剂优选粒径10-20nm的纳米氧化铝粉体或dichtol-HTR-#0977封孔剂。

4.根据权利要求1-3任一所示加热用基板，其特征在于，所述基板本体为铝合金、镁合金、钛合金等轻金属合金；优选的，其厚度为1-2mm。

5.一种权利要求1-4任一所述加热用基板的加工方法，包括加工基板本体形状、基板本体的表面处理，其特征在于，还包括微弧氧化；优选的，所述微弧氧化为通过微弧氧化在基板本体的表面上形成氧化物陶瓷层的过程。

6.根据权利要求5所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化具体为：将表面处理后的基板本体放入微弧氧化电解槽作为阳极浸没在电解液中，进行微弧氧化，从而在基板本体上形成氧化物陶瓷层，清洗并烘干，得到附有洛氏硬度为600-800HV的氧化物陶瓷层的加热用基板；

优选的，所述电解液含硅酸钠10-15g/L、六偏磷酸钠8-12g/L、乙二醇0.1-1.0g/L和丙三醇0.1-0.6g/L，pH值8-12；或含硅酸钠10-15g/L、磷酸钠8-12g/L、柠檬酸钠0.1-0.6g/L、乙二醇0.1-1.0g/L、丙三醇0.1-1.0g/L(优选0.1-0.6g/L)，pH值8-12；

优选的，所述微弧氧化过程中：电解液温度：20℃-30℃，电流密度：5-15A/dm²，电压：300-700V，直流脉冲频率：500Hz，占空比：20％-50％，微弧氧化时间：20-60min。

7.根据权利要求5或6所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化具体为：将表面处理后的基板本体放入微弧氧化电解槽、作为阳极浸没在添加了封孔剂(选自纳米氧化铝粉体)的电解液中进行微弧氧化，在基板本体上形成氧化物陶瓷层，同时完成封孔，清洗并烘干，得到附有洛氏硬度为600-800HV且其中微孔被填充封闭的氧化物陶瓷层的加热用基板。

8.根据权利要求5或6所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化后还包括封孔和去除氧化物陶瓷层表面残留的封孔剂；

优选的，所述封孔具体为：将表面有氧化物陶瓷层的基板本体先于真空条件下在封孔剂中浸渍，取出后清除表面残留的封孔剂，再加热至120℃-250℃固化30min-120min；或先用热固性丙烯酸树脂类电泳漆阴极电泳，再于150-210℃烘烤固化15-60min；

优选的，所述去除封孔剂具体为：去除(一般采用机械磨削)残留在氧化物陶瓷层表面的封孔剂，露出氧化物陶瓷层。

9.根据权利要求8所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化和封孔之间还包括机械打磨、抛光，具体为：机械打磨、抛光去除氧化物陶瓷层表面2-3μm的疏松层。

10.根据权利要求5或6所述加工方法，其特征在于，所述微弧氧化后还顺序包括机械打磨、抛光及封孔；优选的，所述机械打磨、抛光具体为：机械打磨、抛光去除氧化物陶瓷层表面2-3μm的疏松层；优选的，所述封孔具体为：在氧化物陶瓷层表面用微弧离子镀沉积一层金刚石薄膜(DLC薄膜)，膜厚1-5μm。

11.一种加热板，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述加热用基板、设置在加热用基板上的电阻加热层和位于电阻加热层上的封装保护层。