[发明专利]一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，包括封装盖(1)、石英晶片(2)、封装基座(3)，石英晶片中央区域(201)的上表面和下表面均覆盖有中心双面镀覆电极，上表面和下表面的中心双面镀覆电极分别与上金属引线(206a)和下金属引线(206b)连接，其特征在于，

所述石英晶片(2)的一对角线上设有位于石英晶片(2)上表面的上金属层(205a)和位于石英晶片(2)下表面的下金属层(205b)，上金属层(205a)与上金属引线(206a)连接，下金属层(205b)与下金属引线(206b)连接；上金属层(205a)和石英晶片(2)上设有贯穿的通孔一(204)，封装基座(3)的一对角线上的两个角落分别设有通孔二(302a)和通孔三(302b)，当石英晶片(2)安装在封装基座(3)上后，通孔一(204)和通孔二(302a)的位置相对应，通孔三(302b)和下金属层(205b)接触；

通孔一(204)、通孔二(302a)和通孔三(302b)的内壁均镀覆有金属层，且通孔一(204)、通孔二(302a)和通孔三(302b)均填充有密封介质。

2.根据权利要求1所述的一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，其特征在于，所述通孔一(204)、所述通孔二(302a)和所述通孔三(302b)的内壁镀覆的金属层材料为银或铬。

3.根据权利要求1所述的一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，其特征在于，所述密封介质为低温玻璃。

4.根据权利要求1所述的一种改进电极连接结构的全石英晶体谐振器，其特征在于，所述上表面镀覆电极(203a)和下表面镀覆电极(203b)的形状为矩形或正方形。

5.一种改进电极结构的全石英晶体谐振器的加工工艺，其特征在于，在制备石英晶片(2)的过程中，制作与上表面镀覆电极(203a)连接的上金属层(205a)、与下表面镀覆电极(203b)连接的下金属层(205b)，在石英晶片(2)的上金属层(205)处制作通孔一(204)；在制备封装基座(3)的过程中，在通孔一(204)的位置制备对应的通孔二(302a)，在通孔二(302a)的对角线上制备通孔三(302b)；

在制备好封装盖(1)、石英晶片(2)和封装基座(3)后，采用如下步骤：

步骤一：通过金属镀膜或金属渗透烧结工艺制作封装基座(3)下部的金属引脚(303)；

步骤二：分别在封装盖(1)下表面和封装基座(3)上表面涂覆玻璃浆料，涂覆区域不包括封装盖凹面平台(101)和封装基座凹面平台(301)；

步骤三：将封装盖(1)、石英晶片(2)、封装基座(3)封接形成整体后，从通孔二(302a)处填充注入导电金属材料，将上表面镀覆电极(203a)通过通孔一(204)连接至封装基座下部金属引脚(303)，下表面镀覆电极(203b)通过通孔二(302b)导电连接金属引脚(303)；从封装基座(3)通过通孔三(302b)处填充注入导电金属材料，将下表面镀覆电极(203b)通过通孔三(302b)导电连接至封装基座下部金属引脚(303)；

步骤五：使用激光切割或刀片切割分离封装焊接后石英晶体谐振器，实现表面贴装式压电石英晶体谐振器的加工。

6.根据权利要求5所述的一种改进电极结构的全石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述石英晶片(2)的制备过程如下：

步骤一：对石英晶片(2)表面进行预处理后，在其表面沉积蚀刻金属层；

步骤二：在金属层上覆盖光刻胶膜，通过光刻掩膜版曝光形成曝光图形，显影去除未曝光区域图形；

步骤三：用金属刻蚀液，去除未被光刻胶覆盖保护区域金属层；

步骤四：腐蚀石英基片(2)，制作通槽(202)、定位孔二(207)、通孔一(204)；

步骤五：使用去光刻胶液去除光刻胶膜后，对石英基片(2)进行金属电极镀膜加工，沉积金属材料；

步骤六：在金属层上二次覆盖光刻胶膜，通过光刻掩膜版曝光形成曝光图形，显影去除未曝光区域图形；

步骤七：用金属刻蚀液，去除未被光刻胶覆盖保护区域金属层，制作中心双面电极(203a)、(203b)，通孔连接金属层(205a)；

步骤八：使用去光刻胶液去除光刻胶膜。