[发明专利]用于间距倍增的集成电路制造

说明书

本发明提供一种集成电路间距倍增方法、用于集成电路制造的间距倍增掩膜及集成电路制造方法，其中的集成电路间距倍增方法，包括：形成多个占位部件于衬底上，每两个占位部件之间由一个占位沟槽隔开，所述占位部件包括牺牲层以及覆盖于牺牲层顶部的阻挡层；沉积用于形成间隔部件的间隔材料层；移除占位部件以及部分的间隔材料层，保留占位部件两侧壁的间隔材料层形成间隔部件。本发明可形成表面平整和垂直度高的间隔部件，且具有间距可控性。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种集成电路间距倍增方法、用于集成电路制造的间距倍增掩膜及集成电路制造方法。

背景技术

在集成电路的制造过程中，通常使用光刻工艺在衬底上对集成电路的组成特征(例如元件或导线)进行图案化，集成电路中通常包含数百万个相同电路元件，因此组成特征通常由重复特征的阵列形成，间距的概念可用于描述这些特征的尺寸。间距是两个相邻特征中的相同点之间的距离。这些特征通常由相邻特征之间的间隔来界定，所述间隔可由例如绝缘体的材料来填充。因此,可将间距视为特征的宽度与使所述特征与相邻特征分离的间隔的宽度的总和。

某些光刻胶材料仅对某些波长作出反应,可使用的一种常见波长范围是紫外线(UV)范围，即许多光刻胶材料会选择性地对特定波长作出反应，所以光刻技术会存在最小间距，在所述最小间距以下，光刻技术不能可靠地形成特征。此最小间距通常由可所使用的光波长来确定。也即是说，光刻技术的最小间距会限制对特征尺寸的减小。

“间距加倍”或“间距倍增”(以下统称为“间距倍增”)是一种使光刻技术的能力扩展超出其最小间距的方法。现有技术中通常采用光刻胶形成间隔部件，使间距倍增，但光刻胶质地较软，因此得到的间隔部件外观特征较差。

发明内容

本发明的实施例提供一种集成电路间距倍增方法、用于集成电路制造的间距倍增掩膜及集成电路制造方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本发明实施例的一个方面，本发明实施例提供一种集成电路间距倍增方法，包括：

形成多个占位部件于衬底表面，每两个所述占位部件之间由一个占位沟槽隔开，所述占位部件包括牺牲层以及覆盖于所述牺牲层顶部的阻挡层，所述阻挡层不直接接触所述衬底；

沉积间隔材料层在所述占位部件的顶部和侧壁以及所述占位沟槽的底部；以及，

移除位于所述占位部件的顶部和所述占位沟槽的底部的所述间隔材料层，并移除所述占位部件以形成在所述衬底上的间隔部件，其中，所述间隔部件包括保留于所述占位部件两侧壁的所述间隔材料层。

在一些实施例中，所述间隔材料层包括硬度大于所述牺牲层的含氧化合物，移除所述材料层，并移除所述占位部件的步骤包括：

第一次蚀刻，包括蚀刻位于所述占位部件的顶部以及所述占位沟槽的底部的所述间隔材料层，以及蚀刻部分的所述阻挡层；

第二次蚀刻，包括蚀刻剩余的所述阻挡层以及蚀刻部分的所述牺牲层；以及，

剥离剩余的所述牺牲层。

在一些实施例中，在所述第一次蚀刻时，包括使用四氟化碳气体和三氟化碳气体，且所述四氟化碳气体的用量大于所述三氟化碳气体的用量；在所述第二次蚀刻时，包括使用所述四氟化碳气体和所述三氟化碳气体，且所述四氟化碳气体的用量小于所述三氟化碳气体的用量。

在一些实施例中，所述间隔材料层包括硬度大于所述牺牲层的含氮化合物，移除所述间隔材料层，并移除所述占位部件的步骤包括：

蚀刻所述阻挡层、位于所述阻挡层侧壁和顶部的所述间隔材料层以及位于所述占位沟槽底部的所述间隔材料层，保留牺牲层以及位于所述牺牲层两侧壁的所述间隔材料层；以及，

剥离所述牺牲层。