[发明专利]一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，包括：

提供发光结构，所述发光结构包括衬底和外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层的中心区域和边缘区域；

在所述发光结构表面沉积一层绝缘层，并对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的第一孔洞和第二孔洞，并将所述中心区域和边缘区域对应的第一半导体层裸露出来；

在所述绝缘层表面、第一孔洞内和第二孔洞内依次形成透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层；

对所述DBR反射层进行刻蚀，形成贯穿所述DBR反射层的第三孔洞；

在所述中心区域内沉积金属电极层形成第一电极，在所述第三孔洞内沉积金属电极层形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述中心区域的形状为倒梯形，所述边缘区域的形状为倒梯形。

3.根据权利要求1所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘层由SiC、SiO₂、SiN_x和SiO_xN_y中的一种或几种制成。

4.根据权利要求1所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述Ag镜反射层除了含有Ag元素之外，还包括Ti、W、N和Ni中的一种或几种元素。

5.根据权利要求1所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述Ag镜保护层包括Ti、W、Al、Ni和Pt中的一种或几种元素；所述金属电极层包括Cr、Ti、Ni、AuSn、Pt、Au和Sn中的一种或几种元素。

6.根据权利要求1所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明导电层在所述绝缘层上的表面积小于所述绝缘层的表面积。

7.根据权利要求1所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述Ag镜反射层在所述绝缘层上的表面积大于所述透明导电层的表面积，且小于所述绝缘层的表面积。

8.根据权利要求7所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述Ag镜保护层的表面积大于所述Ag镜反射层的表面积，并将所述Ag镜反射层覆盖。

9.根据权利要求8所述的具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述DBR反射层的表面积大于所述Ag镜保护层的表面积，并将所述Ag镜保护层完全覆盖。

10.一种具有绝缘层保护结构的高亮倒装LED芯片，包括；

衬底；

设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层的中心区域和边缘区域；

设于所述第一半导体层表面、边缘区域侧边和中心区域侧边的绝缘层；

依次设于所述第二半导体层和绝缘层表面的透明导电层、Ag镜反射层、Ag镜保护层和DBR反射层；

第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述中心区域，所述第二电极贯穿所述DBR反射层，并设置在所述Ag镜保护层上。