[发明专利]光刻图案化方法

权利要求书

1.一种光刻图案化方法，包括：

涂布一底层于一基板上，其中该底层包括富碳材料；

形成一中间层于该底层上，其中该中间层的硅浓度大于42重量％；

涂布一光敏层于该中间层上；

对该光敏层进行一曝光工艺；以及

显影该光敏层以形成一图案化光敏层。

2.如权利要求1所述的光刻图案化方法，其中形成该中间层的步骤包括：

旋转涂布一中间材料溶液于该底层上；以及

在旋转涂布该中间材料溶液于该底层上之后，对该中间材料溶液进行烘烤工艺，以形成硅浓度提高的该中间层。

3.如权利要求2所述的光刻图案化方法，其中该中间材料溶液包含多个线型聚合物链与一交联添加剂混合于一溶剂中。

4.如权利要求3所述的光刻图案化方法，其中该些线型聚合物链包含氢氧化硅，其分子量介于2000至3000之间。

5.如权利要求3所述的光刻图案化方法，其中该些线型聚合物链具有化学结构：

其中n为整数，R为键结至每一氢氧化硅的羟基末端的化学基团，其中化学基团是氢、甲基、或乙基。

6.如权利要求5所述的光刻图案化方法，其中该些线型聚合物链的分子量介于2000至3000之间，且该交联添加剂的化学结构其分子量小于130且pKa小于7。

7.如权利要求3所述的光刻图案化方法，还包括在旋转涂布该中间材料溶液之前先制备该中间材料溶液，其中制备该中间材料溶液的步骤还包括一预热工艺，以形成具有所需聚合物链长的该些线型聚合物链。

8.如权利要求7所述的光刻图案化方法，其中该预热工艺的温度介于40℃至120℃之间，且该预热工艺的时间介于30分钟至720分钟之间。

9.如权利要求3所述的光刻图案化方法，其中对该中间材料溶液进行烘烤工艺的步骤包括：

以一第一烘烤温度对该中间材料溶液进行硬化烘烤工艺，以交联该些线型聚合物链；以及

之后以一第二烘烤温度对该中间材料溶液进行除气烘烤工艺，以对该交联添加剂进行除气步骤，其中该第二烘烤温度大于该第一烘烤温度。

10.如权利要求9所述的光刻图案化方法，其中该第一烘烤温度介于150℃至200℃之间，而该 第二烘烤温度介于200℃至300℃之间。

11.如权利要求1所述的光刻图案化方法，其中该底层为一富碳材料，其具有多个酚键结在一起。

12.如权利要求1所述的光刻图案化方法，还包括：

采用含氟的第一蚀刻剂进行第一蚀刻工艺，经由该图案化光敏层的多个开口选择性地蚀刻该中间层，以形成一图案化中间层；以及

采用含氧的第二蚀刻剂进行第二蚀刻工艺，经由该图案化中间层的多个开口选择性地蚀刻该底层，以形成一图案化底层。

13.一种光刻图案化方法，包括：

涂布一底层于一基板上，其中该底层包含一富碳材料；

涂布一中间材料溶液于该底层上，其中该中间材料溶液包含多个线型聚合物链与一交联添加剂混合于一溶剂中；

以一第一烘烤温度对该中间材料溶液进行硬化烘烤工艺；

之后以一第二烘烤温度对该中间材料溶液进行除气烘烤工艺，以形成硅浓度提高的一中间层，且该第二烘烤温度大于该第一烘烤温度；

涂布一光敏层于该中间层上；

对该光敏层进行曝光工艺；以及

显影该光敏层以形成一图案化光敏层。