[发明专利]干刻蚀装置及干刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板的制程加工领域，特别是涉及一种干刻蚀装置及干刻蚀方法。

背景技术

目前，在低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)以及有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)工艺中，金属材质的栅极线(俗称闸极电极)和源/漏极线(Source-Drain line，俗称栅极电极或源漏电极)，其膜层结构通常为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)等材料中的至少一种形成的单层或者多层结构。而为了到达高分辨率产品所规定的线宽损失要求，通常使用干法刻蚀工艺将光罩上的图案转移到金属材质的膜层结构上，从而加工出上述金属材质的栅极线与源/漏极线等信号线。

由于干法刻蚀工艺制程会产生大量的氟化钼(MoFx)、氯化钼(MoClx)、氯化铝(AlClx)、氯化钛(TiClx)等金属盐类的制程生成物，而现有的干法刻蚀机设备中，其测压组件(例如用以监测制程腔内的压强的真空计)缺乏针对该类制程生成物的防护措施，极容易受到所述制程生成物的影响而出现以下问题：发生零点漂移、维护周期短、检修成本高等。

发明内容

本发明实施例提供一种新的干刻蚀装置及方法，其能防止现有的干刻蚀装置上的真空计等测压组件受制程生成物的影响，从而避免出现零点漂移、维护周期短、检修成本高等问题。

第一方面，本发明第一实施例提供了一种干刻蚀装置，包括制程腔、至少一排气组件以及至少一测压组件，所述制程腔容置待加工组件，并对所述待加工组件进行干刻蚀制程作业，所述排气组件连接至所述制程腔，用以排出干刻蚀制程中产生的制程生成物，所述测压组件用以实时监测所述制程腔中的压强，测压组件的安装位置，从排气组件上转移到制程腔上，减少制程生成物沉积对测压组件的影响；所述干刻蚀装置的制程腔内壁上还包括一套管，所述套管设置于所述测压组件与所述制程腔的连接处，并与所述制程腔相连通，所述套管用以捕集制程腔流向测压组件的制程生成物，防止干刻蚀制程中产生的所述制程生成物流入所述测压组件内。

其中，所述套管通过喷砂或者镀膜的方式形成粗糙不平的内壁，所述套管通过粗糙不平的内壁来捕集制程腔室流向测压组件的制程生成物，最大限度降低所述制程生成物流入所述测压组件。套管易于安装和拆卸，并且可以和制程腔内部其他部件一起进行定期清理和维护。

其中，所述套管的内壁形成凹槽和/或凸起来增加所述套管的粗糙度，并通过所述内壁形成的凹槽和/或凸起来捕集所述制程生成物。

其中，所述制程腔的侧壁上贯穿开设有测量孔，所述测压组件通过所述测量孔与所述制程腔相连通，所述套管可拆卸的安装在所述测量孔内。

其中，所述套管从所述制程腔的内壁一侧安装在所述测量孔内，并与所述制程腔内的其它部件固定连接。

其中，所述套管包括管体以及凸缘，所述管体卡持在所述测量孔内，所述凸缘沿着所述管体的径向凸设在所述管体的一端，并抵持在所述测量孔边缘的内壁上。

其中，所述测压组件包括真空计以及气阀，所述真空计通过管路连接至所述制程腔，所述气阀设置在所述真空计与所述制程腔之间的管路上，用以控制所述真空计与所述制程腔之间的管路的导通与截止。

其中，所述制程腔具有排气孔，所述排气组件包括真空泵以及阀门，所述真空泵通过管路连接至所述排气孔，所述阀门设置在所述排气孔与所述真空泵之间的管路上，用以控制所述真空泵与所述排气孔之间的管路的导通与截止。

其中，所述制程腔包括腔体、设置于所述腔体上方的上电极以及设置于所述腔体下方的下电极，所述上电极与所述下电极将通入所述腔体中的刻蚀气体转化成等离子体(电浆)，所述等离子体与所述待加工组件进行反应，完成干刻蚀制程。

另一方法，本发明还提供一种干刻蚀方法，其通过所述干刻蚀装置对待加工组件进行干刻蚀，所述干刻蚀方法包括以下步骤：

密封所述干刻蚀装置的腔体，且所述干刻蚀装置的排气组件将所述腔体排成真空状态；

在所述腔体内通入刻蚀气体，所述干刻蚀装置的测压组件检测所述腔体内的制程条件是否达标；

当所述测压组件测得的制程条件达标时，所述腔体中的上电极与下电极通电，使腔体内的刻蚀气体形成等离子体状态(电浆状态)，电浆内的离子、活性原子团或分子自由基对待加工组件进行离子轰击和化学反应，实现干刻蚀制程作业；

当干刻蚀制程完成后，所述排气组件将干刻蚀制程产生的制程生成物从所述腔体内排出。