[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一金属层和第二金属层；

层间介质层，形成在所述第一金属层和第二金属层之间，所述层间介质层内具有通孔；

导电插塞，位于所述通孔内，所述导电插塞的第一端与所述第一金属层中的第一金属线电连接，所述导电插塞的第二端与所述第二金属层中的第二金属线电连接；所述导电插塞的侧壁与所述半导体衬底表面具有一夹角；

第三金属线，位于所述第一金属层内且与所述第一金属线相邻；

其中，所述第二金属线的线宽选自设计规则中的线宽的最大区间；所述通孔与所述第二金属线是通过一体化刻蚀工艺形成的；所述通孔的截面形状呈倒梯形；所述倒梯形与所述第二金属线接触的一边的边长，与所述第二金属线的线宽相等。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属线的线宽为所述设计规则中的线宽的最大值。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属线和第三金属线的间距选自于所述设计规则中的间距的最小区间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属线和第三金属线的间距为所述设计规则中的间距的最小值。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

晶体管，所述晶体管的栅极结构形成在所述半导体衬底的表面，所述晶体管的源区和漏区形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底内。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述导电插塞形成在所述晶体管的栅极结构上方，所述第三金属线与所述源区或漏区电连接。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述晶体管为鳍型场效应晶体管，所述导电插塞在所述半导体衬底表面的投影在所述晶体管的栅极结构的预设范围内。

8.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成第一金属层，所述第一金属层中具有第一金属线与第三金属线，所述第三金属线与所述第一金属线相邻；

形成覆盖所述第一金属层的层间介质层；

通过一体化刻蚀工艺，在所述层间介质层内形成通孔与沟槽；

在所述通孔内填充导电物以形成导电插塞，在所述沟槽内填充导电物，以形成第二金属层；所述第二金属层中具有第二金属线；所述导电插塞的侧壁与所述半导体衬底表面具有一夹角；

其中，所述第二金属线的线宽选自设计规则中的线宽的最大区间，所述通孔的截面形状呈倒梯形；所述倒梯形与所述第二金属线接触的一边的边长，与所述第二金属线的线宽相等。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二金属线的线宽为所述设计规则中的线宽的最大值。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一金属线和第三金属线的间距选自于所述设计规则中的间距的最小区间。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一金属线和第三金属线的间距为所述设计规则中的间距的最小值。

12.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面形成第一金属层之前，还包括：

在所述半导体衬底的表面形成晶体管的栅极结构；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成所述晶体管的源区和漏区。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述导电插塞形成在所述晶体管的栅极结构上方，所述第三金属线与所述源区或漏区电连接。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述晶体管为鳍型场效应晶体管，所述导电插塞在所述半导体衬底表面的投影在所述晶体管的栅极结构的预设范围内。