[发明专利]TiN系膜及其形成方法

权利要求书

1.一种TiN系膜，其特征在于：

由氧含量为50at％以上的TiON膜和TiN膜在基板上交替叠层而成的叠层膜形成。

2.如权利要求1所述的TiN系膜，其特征在于：

所述TiN系膜整体的膜厚在3nm以下。

3.如权利要求1或2所述的TiN系膜，其特征在于：

在所述基板上最先形成有所述TiON膜。

4.如权利要求1或2所述的TiN系膜，其特征在于：

所述TiON膜和所述TiN膜是通过ALD形成的膜。

5.一种TiN系膜的形成方法，其特征在于：

在基板上交替地形成氧含量为50at％以上的TiON膜和TiN膜。

6.如权利要求5所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

在所述基板上最先形成所述TiON膜。

7.如权利要求5或6所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

所述TiON膜和所述TiN膜通过ALD法形成。

8.如权利要求5或6所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

所述TiON膜通过将以下的一系列的处理作为1个循环，重复进行多次该循环以达到预期的膜厚而形成：

在处理容器内配置有基板的状态下，将所述处理容器内保持在减压状态，在规定的处理温度下，交替地反复进行X次向所述处理容器内供给含Ti气体的步骤和向所述处理容器内供给氮化气体的步骤以形成单位TiN膜之后，向所述处理容器内供给氧化剂以将所述单位TiN膜氧化。

9.如权利要求8所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

作为所述氧化剂，使用选自O₂气体、O₃气体、H₂O、NO₂中的含氧气体、或者将所述含氧气体等离子体化而形成的物质。

10.如权利要求7所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

所述TiN膜通过如下方法成膜：

在处理容器内配置有基板的状态下，将所述处理容器内保持在减压状态，在规定的处理温度下，交替地反复进行向所述处理容器内供给含Ti气体的步骤和向所述处理容器内供给氮化气体的步骤。

11.如权利要求8的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

所述含Ti气体为TiCl₄气体，所述氮化气体为NH₃气体。

12.如权利要求7所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：

在同一处理容器内连续地形成所述TiON膜和所述TiN膜。

13.一种存储介质，其是存储有在计算机上运行、用于控制成膜装置的程序的存储介质，所述存储介质的特征在于：

所述程序在执行时使计算机控制所述成膜装置以进行权利要求5至权利要求12中任一项所述的方法。