[发明专利]集成电路半定制后端设计布线和优化方法有效
申请号: | 201711111879.7 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107784179B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 徐靖 | 申请(专利权)人: | 嘉兴倚韦电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 李伊飏 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市平湖市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 定制 后端 设计 布线 优化 方法 | ||
1.一种集成电路半定制后端设计布线和优化方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:后端设计工具导入初始数据;
步骤S2:通过后端设计工具添加填充单元,以固定版图初始格局和寄生参数;
步骤S3:根据上述初始数据,通过后端设计工具对于各条信号线进行选择性处理,以输出第一布线结果;
步骤S4:根据预设的各条信号线的优先级,通过后端设计工具对于上述第一布线结果的时钟信号线优先于常规信号线进行布线,以输出第二布线结果;
步骤S5:通过后端设计工具对于上述第二布线结果进行布线优化,以输出第三布线结果;
在步骤S5之后,还包括步骤S6:
步骤S6:根据上述第三布线结果,通过后端设计工具添加金属层填充物,以输出第四布线结果;
在步骤S6之后,还包括步骤S7:
步骤S7:根据上述第四布线结果,通过后端设计工具输出布线数据;
在步骤S1中,上述初始数据包括常规数据集和特有数据集,上述常规数据集包括LEF/LIB/Verilog/DEF/SDC以及金属层填充规则文件,上述特有数据集包括不布线配置文件、提前布线配置文件、选择布线配置文件和删除布线配置文件;
在步骤S3中,所述后端设计工具的选择性处理方式包括:根据上述不布线配置文件,对于部分信号线不进行布线;根据上述提前布线配置文件,对于特殊信号线进行提前布线;根据选择布线配置文件,对于部分信号线进行优先级低于前述提前布线配置文件的二次特殊布线;根据删除布线配置文件,对于已经完成布线的信号线进行删除操作。
2.根据权利要求1所述的集成电路半定制后端设计布线和优化方法,其特征在于,在步骤S5中,所述后端设计工具的布线优化处理方式包括但不限于常规时序优化、阻塞优化、DFM优化、噪声优化、DRC优化、天线效应优化、DRV优化和电迁移优化。
3.根据权利要求2所述的集成电路半定制后端设计布线和优化方法,其特征在于,在步骤S7中,上述布线数据包括但不限于布线结果报告文件、网表文件、物理信息文件和日志文件。
4.根据权利要求1所述的集成电路半定制后端设计布线和优化方法,其特征在于,在步骤S3中,上述特殊信号线包括但不限于模拟信号线。
5.根据权利要求1所述的集成电路半定制后端设计布线和优化方法,其特征在于,在步骤S3中,在后端设计工具对于各条信号线进行选择性处理之后,在输出第一布线结果之前,还包括步骤S3.1:
步骤S3.1:通过后端设计工具对于放置单元进行微调。
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