[发明专利]一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法

权利要求书

1.一种锗晶体化学机械抛光的抛光液，其特征是：包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计，主要由下列原料组成：磨料粒径15-110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7Mohs的SiO2水溶胶磨料10-50％、氧化剂0.2-1.5％、pH调节剂0.5-2％、螯合剂0.2-1.5％、表面活性剂0.1-1％；pH调节剂为有机碱；所述精抛液按重量％计,由下列原料组成：表面活性剂0.1-0.5％，99.5-99.9％为去离子水；所述螯合剂为FA/OII型螯合剂；所述表面活性剂为FA/OI型表面活性剂、OII-7((C1OH21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、OII-10((C1OH21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、或JFC的一种或几种混合。

2.根据权利要求1所述的锗晶体化学机械抛光的抛光液，其特征是：所述抛光液的制备方法：按重量％计，粗抛液：将10-50％纳米SiO2水溶胶边搅拌边加入去离子水稀释至完全溶解，随后边搅拌边依次加入0.1-1％的表面活性剂、0.2-1％的螯合剂、0.5-2％pH调节剂和0.2-1.5％氧化剂；精抛液：将0.1-0.5％非离子表面活性剂边搅拌边加入99.5-99.9％去离子水中。

3.根据权利要求1所述的锗晶体化学机械抛光的抛光液，其特征是：所述氧化剂为氧化性适中无金属离子的H2O2。

4.根据权利要求1所述的锗晶体化学机械抛光的抛光液，其特征是：所述pH调节剂为有机多羟胺碱，包括三乙醇胺、四羟基乙二胺、四羟乙基已二胺的一种或几种的混合。

5.根据权利要求1所述的锗晶体化学机械抛光的抛光液，其特征是：所述pH调节剂的pH值为9-13。

6.一种根据权利要求1所述的锗晶体化学机械抛光的抛光液使用方法，其特征是：由以下步骤组成：选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成；第一步取制备好的粗抛液1000-3000g，工艺条件为抛光液流量100g-300g/min、温度20-35℃、抛光压力6.895-27.58Kpa，转速40-80rpm；第二步取精抛液300-500g，工艺条件为流量300g-500g/min、温度20-35℃、抛光压力0-13.79Kpa，转速60-100rpm。