[发明专利]一种微机电系统圆片级真空封装方法在审
| 申请号： | 201711110159.9 | 申请日： | 2017-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109775656A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 吴柏强 | 申请（专利权）人： | 成都海逸机电设备有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机电系统 凹坑 圆片 玻璃盖板 圆片级真空封装 玻璃圆片 加工 沉积 键合金属层 微机电结构 电极引线 封装结构 封装腔体 生产效率 外界污染 真空封装 真空条件 玻璃片 成品率 金属膜 气密性 吸气剂 划片 键合 气密 薄膜 制作 保证 生产 | ||
1.一种微机电系统圆片级真空封装方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)在玻璃基板(1)上制作MEMS结构(11)阵列，并制作与外电路电连接的电极金属膜(12)和环形键合金属层(13)，形成包括若干个微机电系统单元的微机电系统圆片(9)；
(2)在玻璃基片(2)上加工作为封装腔体的若干个凹坑(3)，并在每个凹坑(3)的周围加工圆形且带有一定锥度的过孔(8)；
(3)在玻璃基片(2)上的每个凹坑(3)内表面淀积吸气剂薄膜(4)，并在玻璃基片(2)上设有凹坑(3)的一面上制作键合金属层，形成玻璃盖板圆片(10)，键合金属层的厚度为45～60nm，键合方法为溅射、气相沉积或蒸镀，所述键合金属层包括过孔(8)周围分立的金属层(6)，和包围过孔(8)并与金属层(6)分离的封闭环形金属层(7)；
(4)在真空条件下将步骤(1)得到的微机电系统圆片(9)与步骤(3)得到的玻璃盖板圆片(10)进行气密键合，气密键合的方法为共晶键合，使得一个微机电系统单元与一个凹坑(3)相对应，并使过孔(8)与微机电系统单元的电极金属膜(12)相对应，并且使电极金属膜(12)完全覆盖过孔(8)；
(5)在玻璃盖板圆片(10)的过孔(8)内沉积金属膜(5)制作电极引线，方法为溅射、蒸镀或气相沉积，完成封装，并对封装结构进行划片，得到单个微机电系统封装器件。
2.根据权利要求1所述的一种微机电系统圆片级真空封装方法，其特征在于：所述步骤(2)中凹坑(3)为方形或圆形，且深度大于玻璃基板(1)上的MEMS结构(11)的高度。
3.根据权利要求1所述的一种微机电系统圆片级真空封装方法，其特征在于：所述步骤(2)过孔(8)的锥度为60～75°。
4.根据权利要求1所述的一种微机电系统圆片级真空封装方法，其特征在于：所述步骤(3)中金属层(6)与封闭环形金属层(7)的形状均为圆形或方形。
5.根据权利要求1所述的一种微机电系统圆片级真空封装方法，其特征在于：所述步骤(3)中键合金属层为金，铝或铜。
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