[发明专利]一种高集成度高压延迟缓启动装置

权利要求书

1.一种高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管；

所述RC充放电电路包括电容C1和电阻R3，直流电源VCC对电容C1充电，电容C1和电阻R3分别经不同的支路接至直流电源VCC，同时电阻R3一端与电容C1的正端连接，电阻R3另一端分别接至MOS管Q1的漏端和MOS管Q2的栅端，电容C1的负端接地；

MOS管Q1的栅端作为该高集成度高压延迟缓启动装置的控制输入端；MOS管Q1的源端接地，使得当控制输入端为有效高电平，MOS管Q1处于导通状态，在所述RC充放电电路的放电作用下，MOS管Q2的栅端电压从初始最大值缓慢降低；

MOS管Q2的漏端经电阻R12接至直流电源VCC，MOS管Q2的源端接地，MOS管Q2因RC充放电电路的作用形成一个可变电阻，该可变电阻与R12组成分压电路，对直流电源VCC分压后加载在MOS管Q3的栅端；

MOS管Q3的漏端接至直流电源VCC，MOS管Q3的源端经光控MOS管中的光电二极管串联接地；MOS管Q3跟随MOS管Q2状态变化，进而决定光电二极管的导通状态；光控MOS管中的MOS管作为该高集成度高压延迟缓启动装置控制输出端，高压幅值控制端与高压电源输入端之间引出结点直接经光控MOS管中的MOS管串联接地。

2.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：MOS管Q1的栅端还设置有接地的保护稳压管。

3.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：所述RC充放电电路还包括电阻R1和电阻R2，直流电源VCC依次经电阻R1、电阻R2串联接地，所述电阻R3一端与电容C1的正端连接的结点同时亦为电阻R1与电阻R2连接的结点。

4.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：所述分压电路的分压点经一组并联电容接至MOS管Q1的漏端。

5.根据权利要求1或4所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：所述电阻R3另一端接至MOS管Q1的漏端最后接地的支路上串联设置有电阻R4。

6.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：MOS管Q3的源端与光控MOS管之间串联设置限流电阻R5。