[发明专利]石墨烯膜的制造方法和使用它的表膜构件的制造方法在审
| 申请号： | 201711106323.9 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108269735A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 簗濑优 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/62;G03F1/82 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;侯剑英 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿式蚀刻 石墨烯膜 石墨烯 制造 表膜 衬底 保护膜覆盖 高透射率 保护膜 溶剂 溶解 表现 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯膜的制造方法，其特征在于，包括：
准备设置在衬底上的石墨烯的工序；用保护膜覆盖该石墨烯的工序；通过湿式蚀刻除去上述衬底的工序；以及使用表面张力比上述湿式蚀刻所使用的湿式蚀刻液小的溶剂将上述保护膜溶解而除去的工序。
2.根据权利要求1所述的石墨烯膜的制造方法，其特征在于，
上述保护膜是氟树脂，上述溶剂是氟系溶剂。
3.一种表膜构件的制造方法，其特征在于，
将通过权利要求1或2所述的制造方法得到的石墨烯膜用作表膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
