[发明专利]一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711104843.6 申请日: 2017-11-10
公开(公告)号: CN107855679B 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 柳旭;张国清;马会斌;焦磊;王冉;王峰;杜旭明;李艳涛;刘广华 申请(专利权)人: 北京有色金属与稀土应用研究所
主分类号: B23K35/30 分类号: B23K35/30;B23K35/40
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘徐红
地址: 100012*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 电子器件 封接用低银钎 料及 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低银钎料,其特征在于:按质量百分比计,该钎料的组成为:Ag 42.0%〜48.0%,Ga 3.0 %〜4.0 %,Ni 0.1%〜2.0%,余量为Cu;所述的低银钎料为箔状钎料,箔状钎料的厚度≥20μm,宽度≤250mm;采用真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧的工艺方法,真空连续铸造中,精炼的温度为880℃~900℃,精炼的时间为5~10min,在900℃~920℃开始引拉,拉铸速度为2~4mm/s,冷却水流速为1-3L/min,连铸出AgCuGaNi合金锭坯;热处理温度为350℃~400℃,合金片材的运行速度为4~6m/min;拉伸矫直的张力预设为0.5~1.0KN,延伸率预设为1.0%;生产得到宽幅极薄钎料。

2.如权利要求1所述的低银钎料,其特征在于:所述的低银钎料熔化温度为770~820℃。

3.如权利要求1或2所述的低银钎料在真空电子器件封接中的应用。

4.如权利要求1或2所述的低银钎料的制备方法,包括以下步骤:

1)按权利要求1的成分配比称取银、无氧铜、镓和镍;

2)真空连续铸造:将银、无氧铜、镓和镍原料放入水平连铸炉内,抽真空,升温,待原料完全熔化后,精炼,然后开始引拉,连铸出AgCuGaNi合金锭坯;精炼的温度为880℃~900℃,精炼的时间为5~10min,在900℃~920℃开始引拉,拉铸速度为2~4mm/s,冷却水流速为1-3L/min,连铸出AgCuGaNi合金锭坯;

3)对合金锭坯进行固溶热处理,采取水冷方式冷却;

4)采用两辊轧机对合金锭坯进行轧制,得到合金片材;

5)对合金片材进行在线拉矫热处理,热处理温度为350℃~400℃,合金片材的运行速度为4~6m/min;拉伸矫直的张力预设为0.5~1.0KN,延伸率预设为1.0%;

6)将退火后的半成品片材进行冷轧至成品厚度,即得到箔状合金钎料。

5.如权利要求4所述的低银钎料的制备方法,其特征在于:银和镓的纯度为99.99质量%,镍的纯度为99.9质量%以上。

6.如权利要求4所述的低银钎料的制备方法,其特征在于:所述固溶热处理的温度为690℃~720℃,所述固溶热处理的时间为30~45min,采取水冷方式冷却。

7.如权利要求4所述的低银钎料的制备方法,其特征在于:所述的合金片材的厚度为0.1~0.3mm。

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