[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述半导体衬底上还具有覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁的隔离层；

在所述半导体衬底上形成横跨第一鳍部的第一栅极结构和横跨第二鳍部的第二栅极结构；

形成横跨第一鳍部的第一栅极结构之后，在第一栅极结构两侧的鳍部中形成第一凹槽，在第一凹槽中形成第一初始掺杂层；

在第二鳍部上形成第二初始掺杂层，第二初始掺杂层与第一初始掺杂层相邻；

对第一初始掺杂层和第二初始掺杂层进行氧化处理，使第一初始掺杂层形成第一掺杂层以及位于第一掺杂层表面的第一氧化层，使第二初始掺杂层形成第二掺杂层以及位于第二掺杂层表面的第二氧化层；

去除第一氧化层和第二氧化层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对第一初始掺杂层和第二初始掺杂层进行氧化处理的工艺包括：干法氧化工艺或湿法氧化工艺。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为10埃～50埃。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一氧化层和第二氧化层的工艺包括：干法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构覆盖第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述第二栅极结构覆盖第二鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一初始掺杂层的工艺包括外延生长工艺。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在外延生长形成第一初始掺杂层的过程中，还包括对所述第一初始掺杂层进行原位掺杂，在第一初始掺杂层内掺杂第一离子。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一栅极结构用于形成P型器件时，第一初始掺杂层的材料包括掺杂有第一离子的硅锗，第一离子的导电类型为P型；当所述第一栅极结构用于形成N型器件时，第一初始掺杂层的材料包括掺杂有第一离子的硅，第一离子的导电类型为N型。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第一栅极结构之后，在第一凹槽形成之前，还包括在第一栅极结构侧壁表面形成第一侧墙。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一侧墙形成之后，第一凹槽形成之前，对所述栅极结构和第一侧墙两侧的第一鳍部进行离子注入，形成第一轻掺杂区。

11.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在第二鳍部上形成第二初始掺杂层的步骤包括：在所述第二鳍部上形成横跨第二鳍部的第二栅极结构之后，在第二栅极结构两侧形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，对第二侧墙侧壁表面的第二鳍部进行离子注入形成第二轻掺杂层；形成第二轻掺杂层后，在第二侧墙两侧形成第二凹槽；在第二凹槽中形成所述第二初始掺杂层。

12.如权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二初始掺杂层的工艺包括外延生长工艺；在外延生长形成第二初始掺杂层的过程中，还包括对所述第二初始掺杂层进行原位掺杂；第二初始掺杂层内具有第二离子。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第二栅极结构用于形成P型器件时，第二初始掺杂层的材料包括掺杂有第二离子的硅锗，第二离子的导电类型为P型；当所述第二栅极结构用于形成N型器件时，第二初始掺杂层的材料包括掺杂有第二离子的硅，第二离子的导电类型为N型。