[发明专利]一种GPP芯片光刻工艺用对准版图的设计

权利要求书

1.一种GPP芯片光刻工艺用对准版图，其结构特征在于：所述对准版图，由二个版图图案组成，分别记为上光刻板版图图案和下光刻板版图图案。

2.根据权利要求1所述上光刻板版图图案，其结构特征在于：图案外形为圆形，圆形外直径根据产品要求可设为1～2.54毫米，画圆所用的有铬膜环线宽为6～30微米，圆中设有四个有铬膜扇形区，各区间相隔平行宽度为0.2～0.5毫米，平行区中心设有二条相互垂直的有铬膜线，每条有铬膜线均匀分为9段，由5段粗线和4段细线相间组成，细线宽度根据光刻精度要求取2～10微米，粗线宽度取细线宽度的三倍为6～30微米。

3.根据权利要求1所述下光刻板版图图案，其结构特征在于：图案外形为圆形，圆形外直径为上光刻板圆形外直径另减12～60微米，画圆所用的有铬膜环线宽为6～30微米，圆中设有四个有铬膜扇形区，各区间相隔平行宽度为上光刻板相隔平行宽度另加12～60微米，平行区中心设有二条相互垂直有铬膜细线，细线宽度与上光刻细线宽度相同。