[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

基板；

第一电容，设置于该基板上方；

第一金属图案，为该第一电容的第一电极；

第二金属图案，为该第一电容的第二电极；

第三金属图案，设置于该第一金属图案和该第二金属图案上方，且覆盖该第一电容、该第一金属图案和该第二金属图案，其中该第三金属图案为电性接地；以及

电感，设置于该第三金属图案正上方，

其中该第一电容包括：

第一氧化物层，设置于该第一金属图案、该第二金属图案和该第三金属图案之间。

2.如权利要求1所述的集成电路装置，还包括多个金属层，设置于该基板上，其中该第三金属图案与该第一金属图案分别占据该些金属层的不同层金属层，其中该第三金属图案与该第二金属图案分别占据该些金属层的不同层金属层。

3.如权利要求1所述的集成电路装置，其中在一俯视图中，该第三金属图案位于该电感的正下方，该第一金属图案和该第二金属图案位于该第三金属图案的正下方，该第一金属图案的一边界和该第二金属图案的一边界分别位于该第三金属图案的一边界内。

4.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该第一金属图案、该第二金属图案和该第三金属图案彼此隔开且彼此平行。

5.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该第一电容为第一金属-氧化物-金属电容。

6.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该第一金属图案和该第二金属图案属于一第一金属层别，且该第三金属图案属于一第二金属层别，且该第二金属层别不同于该第一金属层别。

7.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该第一金属图案属于一第一金属层别，该第二金属图案属于一第二金属层别，且该第三金属图案属于一第三金属层别，且第一金属层别、该第二金属层别和该第三金属层别彼此不同。

8.如权利要求1所述的集成电路装置，还包括：

第二电容，设置于该基板和该第一电容之间。

9.如权利要求8所述的集成电路装置，其中该第二电容为金属-氧化物-半导体变容器。

10.如权利要求8所述的集成电路装置，其中该第二电容为第一金属-氧化物-半导体电容，该第一金属-氧化物-半导体电容包括：

第一阱区，从在该基板的一表面延伸至部分该基板中；

第一栅极结构，设置于该第一阱区上；以及

源极和一漏极，分别位于该第一栅极结构的二个相对侧，其中该第一栅极结构为该第一金属-氧化物-半导体电容的第一电极，且该源极和该漏极为该第一金属-氧化物-半导体电容的第二电极。

11.如权利要求10所述的集成电路装置，其中该第一阱区经注入一不纯物于该基板所形成。

12.如权利要求11所述的集成电路装置，其中该不纯物为p型不纯物或为n型不纯物。

13.如权利要求10所述的集成电路装置，还包括：第三电容，设置于该基板和该第三金属图案之间。

14.如权利要求13所述的集成电路装置，其中该第三电容为第二金属-氧化物-半导体电容，与该第一金属-氧化物-半导体电容并排设置，其中该第二金属-氧化物-半导体电容的一第二阱区与该第一阱区彼此隔开。

15.如权利要求14所述的集成电路装置，其中该第三金属图案包含第一金属线及第二金属线，其中在一俯视图中，该第一金属线完全覆盖该第一阱区，且该第二金属线完全覆盖该第二阱区。

16.如权利要求15所述的集成电路装置，其中该基板暴露于该第一金属线与该第二金属线之间。