[发明专利]一种无双极晶体管的电压基准源电路

说明书

本发明公开了一种无双极晶体管的电压基准源电路，包括：电压产生电路、电流产生电路、PSRR电路，所述电流产生电路用于为电压产生电路提供电流，所述PSRR电路用于为所述电压产生电路和所述电流产生电路提供供电电压。本发明创造的电路的输出基准电压低于1V，在室温下的功耗大约为71uW，而且相对于传统基准源电路具有更低的温度系数，可以提供更加稳定的基准电压，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。

技术领域

本发明涉及一种电压基准源电路。

背景技术

高精度的基准电路被广泛的应用在模拟、数模混合器件中，例如电源管理电路、射频电路等。应用最广泛的就是由双极晶体管组成的带隙基准电路，它是利用极型晶体管的基极—发射极电压具有负温度特性，而工作在不同电流密度下的基极—发射极电压之差则具有正温度特性，两者相互补偿可得到与温度无关的输出电压。

然而随着人民生活质量的提升和技术的进步，便携式设备得到越来越广泛的应用。传统的带隙基准电路已经不能满足这些设备对低功耗低电压需求。现实的需要和集成电路工艺的进步，要求带隙基准电压能够产生低于1V的电压。低电压、低功耗、低温度系数、高电源抑制比是未来电压基准源电路的发展方向。

发明内容

本发明的目的是提供一种低电压、低功耗的电压基准源电路。

本发明解决其技术问题的解决方案是：一种无双极晶体管的电压基准源电路，包括：电压产生电路、电流产生电路、PSRR电路，所述电流产生电路用于为电压产生电路提供电流，所述PSRR电路用于为所述电压产生电路和所述电流产生电路提供供电电压。

进一步，所述电压产生电路由：PMOS管PM3、PM4、NMOS管NM1、NM2、NM3组成，所述PM3的漏极、栅极并接，所述NM3的漏极、栅极并接，所述NM2的漏极、栅极并接，所述PM3的漏极与所述NM3的漏极连接，所述PM3的栅极与所述PM4的栅极连接，所述PM3的源极与所述PM4的源极连接，所述NM2的漏极与所述PM4的漏极连接，所述NM2的栅极与所述NM1的栅极连接，所述NM2的源极与所述NM1的漏极连接，所述NM3的源极分别与所述NM1的漏极、所述NM2的源极连接，所述PM3、PM4的衬底与电源VDD连接，所述NM1、NM2、NM3的衬底与地GND连接；所述电流产生电路由：PMOS管PM1、PM2、NMOS管NM4、NM5、电阻R1和运算放大器AMP，所述PM1的栅极与所述PM2的栅极连接，所述PM1的漏极分别与所述运算放大器AMP的反相输入端、电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述NM4的漏极连接，所述PM2的源极与所述PM1的源极连接，所述PM2的漏极分别与所述运算放大器AMP的同相输入端、所述NM5的漏极连接，所述NM4的源极、栅极、NM5的源极、栅极分别与地GND连接，所述PM1、PM2的衬底分别与电源VDD连接，所述NM4、NM5的衬底分别与各自漏极连接；所述PSRR电路由：PMOS管PM5、PM6、PM7、PM8和偏置电流源Ib组成，所述PM5的栅极与所述PM6的栅极连接，所述PM5的漏极分别与所述PM1、PM2、PM3、PM4、PM8的源极连接，所述PM7的源极与所述PM6的漏极连接，所述PM7的漏极分别与所述PM5、PM6的栅极、所述电流源Ib的输入端连接，所述PM7的栅极分别与所述PM1、PM2、PM3、PM4的栅极连接，所述电流源Ib的输出端、所述PM8的漏极分别与地GND连接，所述PM5、PM6的源极、PM5、PM6、PM7、PM8的衬底分别与所述电源VDD连接。

本发明的有益效果是：本发明创造的电路的输出基准电压低于1V，在室温下的功耗大约为71uW，而且相对于传统基准源电路具有更低的温度系数，可以提供更加稳定的基准电压，符合当今电子设备低电源电压和低功耗的发展趋势。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。

附图说明