[发明专利]HKMG CMP工艺模型测试结构及建模方法

权利要求书

1.一种HKMG CMP工艺模型测试结构，其特征在于：测试结构包括由最终测试图形单元排列形成的最终测试图形阵列；所述最终测试图形单元包括栅极测试图形阵列和量测衬底图形阵列；

所述栅极测试图形阵列由形成于各种前置形貌表面的各种HKMG对应的HKMG测试图形排列而成；

所述量测衬底图形阵列由量测形成于各种前置形貌表面的HKMG厚度、层间膜厚度和多晶硅厚度的厚度量测衬底图形排列而成；

所述前置形貌表面包括：硅基衬底表面，形成于所述硅基衬底中的浅沟槽隔离介质的表面；

HKMG的种类包括：P型晶体管的HKMG和N型晶体管的HKMG；

所述HKMG测试图形包括9种，分别为：

第一种HKMG测试图形为由同时形成于连续的所述硅基衬底的表面的多个P型晶体管的HKMG排列形成的测试图形；

第二种HKMG测试图形为由同时形成于连续的所述硅基衬底的表面的多个N型晶体管的HKMG排列形成的测试图形；

第三种HKMG测试图形为由同时形成于连续的所述硅基衬底的表面的多个N型晶体管的HKMG和P型晶体管的HKMG交替排列形成的测试图形；

第四种HKMG测试图形由形成于所述硅基衬底和所述浅沟槽隔离介质混合区域的表面的多个P型晶体管的HKMG排列形成的测试图形；

第五种HKMG测试图形由形成于所述硅基衬底和所述浅沟槽隔离介质混合区域的表面的多个N型晶体管的HKMG排列形成的测试图形；

第六种HKMG测试图形由形成于所述硅基衬底和所述浅沟槽隔离介质混合区域的表面的多个N型晶体管的HKMG和P型晶体管的HKMG交替排列形成的测试图形；

第七种HKMG测试图形为由同时形成于连续的所述浅沟槽隔离介质的表面的多个P型晶体管的HKMG排列形成的测试图形；

第八种HKMG测试图形为由同时形成于连续的所述浅沟槽隔离介质的表面的多个N型晶体管的HKMG排列形成的测试图形；

第九种HKMG测试图形为由同时形成于连续的所述浅沟槽隔离介质的表面的多个N型晶体管的HKMG和P型晶体管的HKMG交替排列形成的测试图形。

2.如权利要求1所述的HKMG CMP工艺模型测试结构，其特征在于：所述HKMG测试图形中对应的N型晶体管的HKMG和P型晶体管的HKMG都为条形。

3.如权利要求1所述的HKMG CMP工艺模型测试结构，其特征在于：

所述硅基衬底和所述浅沟槽隔离介质混合区域中，所述硅基衬底被所述浅沟槽隔离介质分割成多个独立分割结构，所述第四种HKMG测试图形、所述第五种HKMG测试图形和所述第六种HKMG测试图形中的HKMG形成对应的所述独立分割结构表面。

4.如权利要求1所述的HKMG CMP工艺模型测试结构，其特征在于：所述量测衬底图形阵列对应的厚度量测衬底图形包括8种，分别为：

第一种厚度量测衬底图形为量测P型晶体管的HKMG厚度的硅基衬底图形；

第二种厚度量测衬底图形为量测N型晶体管的HKMG厚度的硅基衬底图形；

第三种厚度量测衬底图形为量测层间膜厚度的硅基衬底图形；

第四种厚度量测衬底图形为量测多晶硅厚度的硅基衬底图形；

第五种厚度量测衬底图形为量测P型晶体管的HKMG厚度的浅沟槽隔离介质衬底图形；

第六种厚度量测衬底图形为量测N型晶体管的HKMG厚度的浅沟槽隔离介质图形；

第七种厚度量测衬底图形为量测层间膜厚度的浅沟槽隔离介质图形；

第八种厚度量测衬底图形为量测多晶硅厚度的浅沟槽隔离介质图形。