[发明专利]一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：由以下重量百分比的组分组成：二硫化钼-聚苯胺复合物20～30份，成膜基底65～80份，填料0～20份，交联剂3～7份，有机溶剂280～350份。

2.根据权利要求1所述的一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于，所述的成膜基底为聚苯乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：所述的填料为高岭土、膨润土、滑石粉、云母粉中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：所述的交联剂为过氧化二异丙苯、过氧化苯甲酰、1,4-双叔丁基过氧异丙基苯、叔丁基过氧化碳酸脂、叔丁基异丙苯基过氧化物、过氧化异氯丙苯中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：所述的有机溶剂为石油醚、甲苯、二甲苯、三甲苯、D40溶剂中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：在通氮气条件下，控制温度在-2～10℃，将3～6份二维二硫化钼、0.1～0.5份表面活性剂、4～12份经减压蒸馏的苯胺、0.2～2份0.5～2mol/L盐酸、50～70份水加入到反应器中，高速搅拌分散均匀，然后加入含有6～20份氧化剂，-2～10℃继续反应6～12h，然后过滤，干燥，即得所述的二硫化钼-聚苯胺复合物。

7.根据权利要求6所述的一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料，其特征在于：所述的表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、双十二烷基苯基醚二磺酸钠、硬脂酸钠、月桂酸钠中的至少一种；所述的氧化剂为过硫酸钾、过硫酸铵、重铬酸钾、碘酸钾、三氯化铁、双氧水中的至少一种。

8.一种如权利要求1所述的基于二维二硫化钼的半导体复合材料制备方法，其特征在于，制备的步骤如下：首先将成膜基底溶于有机溶剂中，然后再依次加入二硫化钼-聚苯胺复合物、交联剂，充分混合均匀，最后加热至120～180℃除去溶剂加压即得所述半导体复合材料。

9.一种如权利要求1或8所述的基于二维二硫化钼的半导体复合材料应用方法，其特征在于，所述的半导体复合材料作为导电性能优良的材料，广泛应用于照相器材、光学仪器、IC产品、半导体产品、光电产品领域。

10.一种二硫化钼-聚苯胺复合物的制备方法，其特征在于，在通氮气条件下，控制温度在-2～10℃，将3～6份二维二硫化钼、0.1～0.5份表面活性剂、4～12份经减压蒸馏的苯胺、0.2～2份0.5～2mol/L盐酸、50～70份水加入到反应器中，高速搅拌分散均匀，然后加入含有6～20份氧化剂，-2～10℃继续反应6～12h，然后过滤、干燥，即得二硫化钼-聚苯胺复合物；

所述的表面活性剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、双十二烷基苯基醚二磺酸钠、硬脂酸钠、月桂酸钠中的至少一种；所述的氧化剂为过硫酸钾、过硫酸铵、重铬酸钾、碘酸钾、三氯化铁、双氧水中的至少一种。