[发明专利]一种用于介质基片片内均匀减薄的方法

说明书

本发明提供一种用于介质基片片内均匀减薄的方法，步骤101：预先在基片待减薄面上粘贴感光胶膜；步骤102：用粘接剂石蜡将含有基片的临时键合体粘贴到载体上，采用重力方式进行加压粘片；步骤103：将基片周边的溢蜡、杂质等处理干净，然后将感光胶膜和基片脱离；步骤104：通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄处理；步骤105：物理或化学方法进行基片抛光；步骤106：基片同载体分离及后续处理。采用上述方案，适用性强，适用于99.6％的Al₂O₃陶瓷、蓝宝石、99.8％的氮化铝陶瓷、熔融石英、Si基片等材料介质基片的减薄和抛光。

技术领域

本发明属于介质基片技术领域，尤其涉及的是一种用于介质基片片内均匀减薄的方法。

背景技术

超薄基片电路产品片的制造方法一直在微波毫米波与太赫兹电路制造领域受到人们重点关注，成为相关制造业需要重点解决的课题。介质基片减薄抛光的常规工艺方法为：用粘接剂将待减薄抛光基片和载体结合在一起；采用重力或真空等方式进行加压粘片；通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄处理；物理或化学方法进行基片抛光；基片同载体分离；后续处理等。

采用常规方法减薄和抛光介质基片，存在以下问题：用粘接剂将待减薄抛光基片和载体粘接结合时，粘接剂会向上溢出至基片表面尤其是边缘部分，固化后难以去除，去除过程可能会影响起粘接作用的粘接剂的可靠性。上述问题会造成整片范围内粘接剂厚度不均以及基片待减薄面的状态不同，进而影响基片片内减薄的均匀性，对产品的性能产生不利的影响。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种用于介质基片片内均匀减薄的方法。

本发明的技术方案如下：

一种用于介质基片片内均匀减薄的方法，包括以下步骤：

步骤101：预先在基片待减薄面上粘贴感光胶膜；

步骤102：用粘接剂石蜡将含有基片的临时键合体粘贴到载体上，采用重力方式进行加压粘片；

步骤103：将基片周边的溢蜡、杂质等处理干净，然后将感光胶膜和基片脱离；

步骤104：通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄处理；

步骤105：物理或化学方法进行基片抛光；

步骤106：基片同载体分离及后续处理。

所述步骤101中，所述的介质基片材料为为99.6％的Al₂O₃陶瓷或蓝宝石或99.8％的氮化铝陶瓷或熔融石英或Si基片。

所述步骤101中，所述的感光胶膜要求解胶后基片表面无胶残留，为基片用常规支撑载体如UV膜、蓝膜、钢化膜的任意一种。

所述步骤102中，所述的粘接剂石蜡的厚度为5～10μm。

所述步骤104中，所述的通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄处理，其方法是：先对基片和固化后的粘接剂的总厚度进行整片范围内的测量，然后根据测量结果判定是否修正或返工，再通过减薄处理装置对粘接后的基片进行减薄。

所述步骤105中，所述的物理方法抛光是采用粒径≤0.75μm的氧化铈抛光粉和聚氨酯抛光垫进行的。

所述步骤106中，所述的基片同载体分离采用将基片同载体放入石蜡的溶解剂中进行超声处理的方法。

所述步骤106中，所述的后续处理包括基片表面杂质去除和退火。

采用上述方案，具备以下优点：