[发明专利]电容器以及电容器的制造方法有效
申请号: | 201711101176.6 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN108074738B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 斋藤善史 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/232 | 分类号: | H01G4/232;H01G4/248;H01G4/252;H01G9/012;H01G9/04;H01G9/048;H01G9/15 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵琳琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 以及 制造 方法 | ||
1.一种电容器,具备:
导电性金属基材,在一个主面具有设为多孔构造的第一空隙率部以及空隙率比该第一空隙率部低的第二空隙率部;
电介质层,设置在所述导电性金属基材上;
上部电极,设置在所述电介质层上;
第一端子电极,设置在所述导电性金属基材的一个主面侧,并与所述上部电极电连接;以及
第二端子电极,设置在所述导电性金属基材的另一个主面侧,并与所述导电性金属基材电连接,
所述第一空隙率部以比所述第二空隙率部突出的方式构成,
所述第一端子电极设置在所述上部电极上,且设置在隔着所述电介质层以及所述上部电极与所述第一空隙率部重叠的位置,
在所述上部电极上且在隔着所述电介质层以及所述上部电极与所述第二空隙率部重叠的位置,至少设置第一绝缘层,
所述第一绝缘层以包围所述第一端子电极的周围的方式设置。
2.根据权利要求1所述的电容器,其中,
具有:第三端子电极,以与所述第一端子电极绝缘的状态设置在所述导电性金属基材的主面中的设置所述第一端子电极的主面侧,并与所述导电性金属基材电连接。
3.根据权利要求1或2所述的电容器,其中,
在所述电容器的端部,在所述导电性金属基材与所述上部电极之间的任意地方具备第二绝缘层。
4.根据权利要求1或2所述的电容器,其中,
在所述导电性金属基材的另一个主面侧具备包围所述第二端子电极的周围的第三绝缘层。
5.根据权利要求2所述的电容器,其中,
在所述导电性金属基材的另一个主面侧具备覆盖所述第二端子电极的表面的第四绝缘层。
6.一种电容器的制造方法,包括:
在导电性金属基材上形成电介质层的工序,所述导电性金属基材在一个主面具有设为多孔构造的第一空隙率部以及空隙率比该第一空隙率部低的第二空隙率部;
在所述电介质层上形成上部电极的工序;
在所述上部电极上且在隔着所述电介质层以及所述上部电极与所述第二空隙率部重叠的位置,至少形成第一绝缘层的工序;
以周围被所述第一绝缘层包围的方式在所述上部电极上且在隔着所述电介质层以及所述上部电极与所述第一空隙率部重叠的位置形成第一端子电极,使得与所述上部电极电连接的工序;以及
形成第二端子电极,使得与所述导电性金属基材电连接的工序。
7.根据权利要求6所述的电容器的制造方法,其中,
所述电介质层通过原子层沉积法形成。
8.根据权利要求6或7所述的电容器的制造方法,其中,
所述上部电极通过原子层沉积法形成。
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