[发明专利]掩膜版、存储器及存储器的制造方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

一基板，所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案；其中，

所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸，所述第二线形图案沿着第二方向延伸，所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点，所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点，并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形，呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点和所述谷点的形状呈弧形，同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在所述第一方向上呈一直线行排列且同一条呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在所述第一方向上呈另一直线行排列，多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述峰点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈一直线列排列，且多个呈波浪线形的所述第一线形图案的所述谷点在与同一条所述第二线形图案相交的所述第二方向上对准呈另一直线列排列。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二线形图案为直线形图案。

3.如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图案用于定义出一存储器中的存储节点接触，其中，所述存储节点接触对应所述交叉点。

4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的图案还用于定义出所述存储器中与所述存储节点接触连接的电容器，其中，所述电容器对应所述交叉点。

5.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：

提供第一掩膜版，所述第一掩膜版的结构包括如权利要求1～3中任一项所述的掩膜版，以定义出一存储器中的存储节点接触，其中，所述存储节点接触对应所述交叉点；及

形成所述存储节点接触于一衬底上。

6.如权利要求5所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述存储节点接触之前，所述存储器的制造方法还包括：

提供所述衬底，所述衬底中形成有多个有源区，所述衬底上形成有多根沿第一方向延伸的位线结构及多根沿第二方向延伸的隔离线，所述位线结构包括位线导体及覆盖所述位线导体的位线隔离层，所述位线结构和所述隔离线在所述衬底上相交并界定出多个接触窗，且所述有源区中的一个漏极对准一个所述接触窗；及

形成一连接材料层于所述衬底上，所述连接材料层填充所述接触窗，并覆盖所述位线结构及所述隔离线，所述连接材料层与所述漏极电连接。

7.如权利要求6所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述存储节点接触的步骤包括：

覆盖一第一光刻胶层于所述连接材料层上；

利用所述第一掩膜版对所述第一光刻胶层执行光刻工艺，保留所述第一光刻胶层中对应所述第一掩膜版的所述交叉点的部分，以形成一具有第一光刻开口的第一图案化光刻胶层，所述第一光刻开口暴露出部分所述连接材料层，并且所述第一光刻开口在所述衬底上的投影与所述接触窗的部分、所述位线结构部分及所述隔离线重叠；

以所述第一图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述连接材料层和所述位线隔离层，并刻蚀停止于所述连接材料层中和所述位线隔离层中至所述隔离线的顶面，以形成与所述第一光刻开口相对应的第一开口，所述连接材料层中分别填充在相邻的所述接触窗中的部分通过所述第一开口和所述位线隔离层予以相互分隔，以构成所述存储节点接触；及

去除所述第一图案化光刻胶层。

8.如权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述存储节点接触之后，所述存储器的制造方法还包括：

填充一节点接触隔离于所述第一开口内。

9.如权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述节点接触隔离之后，所述存储器的制造方法还包括：

提供第二掩膜版，所述第二掩膜版的结构包括如权利要求1、2或4所述的掩膜版，以定义出所述存储器中与所述存储节点接触连接的电容器，其中，所述电容器对应所述交叉点；及

形成所述电容器于所述存储节点接触上。