[发明专利]一种柔性显示器的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及了一种柔性显示器的制备方法。

背景技术

在平板显示技术领域，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）和有机电致发光显示器（Organic Light Emitting Display，OLED），因其具有轻、薄、功耗低、亮度高，以及画质高等优点，在平板显示领域占据重要的地位。尤其是大尺寸、高分辨率以及高画质的平板显示装置，如液晶电视，在当前的平板显示器市场已经占据了主导地位。

柔性显示技术在近几年有了飞速的发展，由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。无论是濒临消失的阴极射线管还是现今主流的液晶显示器，本质上都属于传统的刚性显示器。与传统的刚性显示器相比，柔性显示器具有诸多优点，例如耐冲击，抗震能力强，重量轻，体积小，携带更加方便等。

由于柔性显示器需要在柔性基材上制作，柔性基材一般由PI、PET等有机高分子材料构成，目前在柔性显示器制程中，由非晶硅构成的半导体层、由氮化硅构成的绝缘层的成膜温度往往在280-350℃，而有机高分子材料耐高温的特性有限，在上述高温制程中有机高分子材料会发生物理化学变化，使得有机高分子材料变质，导致柔性基材表面不平整，影响产品性能。

发明内容

为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种柔性显示器的制备方法。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种柔性显示器的制备方法，包括如下步骤：

（1）提供一刚性基材，在所述刚性基材上制作柔性衬底；

（2）在柔性衬底上形成半导体层和绝缘层，其中，所述半导体层由非晶硅构成，所述绝缘层由氮化硅构成，形成半导体层和绝缘层的温度为200-250℃。

进一步地，采用化学气相沉积法形成所述半导体层和绝缘层。

进一步地，所述柔性衬底的材料为PI、PET、PC、PES、PEN中的一种或多种。

进一步地，所述柔性显示器为柔性TFT-LCD或柔性OLED。

本发明具有如下有益效果：

本发明在柔性显示器制程中，将形成半导体层和绝缘层的温度调整为200-250℃，不仅可以保护由PI、PET等有机高分子材料不在高温制程中发生物理化学变化，而且可以保证半导体层和绝缘层的薄膜致密性。采用本发明的制备方法，有助于提高产品良率。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。

现有技术中，在显示器制程中，形成半导体层和绝缘层的温度为280-350℃，以使得半导体层和绝缘层具有良好的致密性，但是在柔性显示器制程中，若在此温度下形成半导体层和绝缘层，形成柔性衬底的有机高分子材料会发生物理化学变化，使得有机高分子材料变质，导致柔性衬底表面不平整，影响产品性能。

基于上述问题，本发明提供一种柔性显示器的制备方法，包括如下步骤：

（1）提供一刚性基材，在所述刚性基材上制作柔性衬底；

（2）在柔性衬底上形成半导体层和绝缘层，其中，所述半导体层由非晶硅构成，所述绝缘层由氮化硅构成，形成半导体层和绝缘层的温度为200-250℃。

本发明中，非晶硅是单质硅的一种状态，存在很多悬挂键，在柔性显示器产品中，作为半导体元件使用，可控制导通或者断开。

本发明中，氮化硅是硅与氮的一种化合物，在柔性显示器中起到绝缘和保护的作用。

本发明中，优选采用化学气相沉积法形成所述半导体层和绝缘层，但不限定于此。本发明对化学气相沉积法的具体工艺操作不作特别限定，只要保证沉积温度在200-250℃即可。

本发明中，所述柔性衬底的材料可以为本领域技术人员所熟知的各种材料，作为举例，可以为PI、PET、PC、PES、PEN中的一种或多种。

本发明中，所述柔性显示器优选为柔性TFT-LCD或柔性OLED。

本发明人经过大量研究发现，在柔性显示器制程中，将形成半导体层和绝缘层的温度调整为200-250℃，不仅可以保护由PI、PET等有机高分子材料不在高温制程中发生物理化学变化，而且可以保证半导体层和绝缘层的薄膜致密性。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。