[发明专利]一种FCE二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种FCE二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在漂移层的第一表面上形成一层P型层；

在漂移层的第二表面上形成一层N-缓冲层；

向所述N-缓冲层注入N型离子，形成N++掺杂层，其中所述N++掺杂层的厚度小于所述N-缓冲层的厚度；

通过光刻胶掩膜对所述N++掺杂层进行湿法刻蚀，形成多个N++掺杂区以及在每两个相邻所述N++掺杂区之间的沟槽，所述沟槽的底部接触所述N-缓冲层；

通过所述沟槽向所述N-缓冲层注入P型离子，形成不与所述N++掺杂区接触的P++掺杂区，其中所述P++掺杂区的厚度小于所述N-缓冲层的厚度；其中，向所述N-缓冲层注入P型离子用的掩膜与对所述N++掺杂层进行刻蚀用的掩膜为同一掩膜；

去除用于刻蚀所述沟槽的光刻胶掩膜。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过以下步骤形成对所述N++掺杂层进行刻蚀用的掩膜：

在所述N++掺杂层的下表面涂覆一层光刻胶；

对所述光刻胶进行显影曝光，形成用于刻蚀所述沟槽的掩膜。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，根据所述P++掺杂区的面积与所述N++掺杂区的面积的比值以及所述N++掺杂层的厚度来确定所述沟槽侧壁与沟槽底部的夹角。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽侧壁与沟槽底部的夹角为90度至150度。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述P型层上形成一层第一金属层；

进行第一次退火，使得所述第一金属层与所述P型层之间形成欧姆接触；

在每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述N++掺杂区的下表面形成一层第二金属层；

进行第二次退火，使得所述第二金属层与其下方的每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述N++掺杂区之间形成欧姆接触。