[发明专利]一种封装模块及其形成方法

说明书

本申请实施例公开了一种封装模块及其形成方法，该方法包括：利用第一固定层固定第一导电基板和第二导电基板形成层叠结构；在第二导电基板对应第一预设区域的位置形成第一通孔，对应第二预设区域的位置形成第二通孔；在第一导电基板对应第一预设区域的位置形成第三通孔；去除第一固定层位于第一通孔和第三通孔之间的部分，形成第一腔室，并去除第一固定层位于所述第二通孔内的部分；在第一腔室内固定第一芯片，在第二通孔内固定第二芯片，从而通过不同深度的第一腔室和第二通孔来安装不同厚度的芯片，解决目前的封装模块不支持不同厚度的多颗芯片的埋嵌的问题。且该形成方法可使得封装模块上下均衡，避免发生翘曲现象。

技术领域

本申请涉及封装技术领域，尤其涉及一种封装模块及其形成方法。

背景技术

随着电子产品的发展，封装模块的体积越来越小，集成度越来越高，因此，将芯片埋入基板并实现互连的技术发展越来越迅速。但是，目前将多颗芯片同时埋嵌入一个封装模块的过程中，由于所述多颗芯片之间可能存在不同的高度差，从而使得所述封装模块中存在多种不同深度的盲孔，当所述芯片的厚度较大(如大于80μm)时，存在制程能力极限无法实现盲孔镀铜填满作业，因此，目前的封装模块不支持不同厚度的多颗芯片的埋嵌。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了以下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供了一种封装模块的形成方法，包括：

利用第一固定层固定第一导电基板和第二导电基板，形成所述第一导电基板、所述第一固定层和所述第二导电基板依次层叠的层叠结构，所述第一固定层为绝缘固定层；

在所述第二导电基板对应第一预设区域的位置形成第一通孔，对应第二预设区域的位置形成第二通孔；

在所述第一导电基板对应所述第一预设区域的位置形成第三通孔；

去除所述第一固定层位于所述第一通孔和所述第三通孔之间的部分，形成第一腔室，并去除所述第一固定层位于所述第二通孔内的部分；

在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧形成第一支撑层；

在所述第一腔室内固定第一芯片，并在所述第二通孔内固定第二芯片，其中，所述第一芯片的厚度大于所述第二芯片的厚度，且所述第一芯片和所述第二芯片电绝缘；

去除所述第一支撑层；

在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧以及所述第二导电基板背离所述第一导电基板一侧形成第一保护层；

在所述第一保护层中形成多个连接孔，并填充所述连接孔，形成多个连接结构，所述连接结构用于与所述第一芯片或所述第二芯片电连接。

本申请实施例所提供的封装模块形成方法，通过先形成第一导电基板、第一固定层和第二导电基板的层叠结构，再在该层叠结构中形成不同深度的第一腔室和第二通孔，以便于安装不同厚度的芯片，从而解决目前的封装模块不支持不同厚度的多颗芯片的埋嵌的问题。

而且，本申请实施例所提供的封装模块形成方法中，在所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧和所述第二导电基板背离所述第一导电基板一侧形成第一保护层时，由于所述第一腔室贯穿所述层叠结构，所以所述第一保护层位于所述第一导电基板背离所述第二导电基板一侧的厚度和所述第一保护层位于所述第二导电基板背离所述第一导电基板一侧的厚度相差不大，从而可以使得所述封装模块上下均衡，避免发生翘曲现象。

在一种实现方式中，所述第一固定层去除部分的去除工艺为激光去除。

在一种实现方式中，所述第一支撑层为胶膜层，如封框胶膜。

在一种实现方式中，第一支撑层81的制作材料为耐高温材料，如至少可以承受200℃的温度。