[发明专利]一种降低酸耗的滚轮结构的设计方法在审
申请号: | 201711095654.7 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN109767997A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 李帮成 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314205 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滚轮 滚轮结构 螺纹 酸耗 表面螺纹 废酸 右旋 左旋 排放 | ||
本发明公开了一种降低酸耗的滚轮结构的设计方法,由若干表面螺纹结构的滚轮组成;所述的相邻两个滚轮为反向旋转,奇数滚轮螺纹左旋,偶数滚轮螺纹右旋。本发明的有益效果是明显降低HF和HNO3的使用量,可以减少废酸排放,减轻环境污染。
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池片制造领域,具体地涉及一种降低酸耗的滚轮结构的设计方法。
背景技术
在晶硅太阳能电池片的生产过程中,在扩散过程中会有少量的磷原子附着在硅片边缘,此部分会造成电池漏电而降低电池片的光电转换效率,因此必须去除附着在硅片边缘的少量磷原子。在实现上述目的的过程中,需要硅片在滚轮的支撑下,平稳的从药液表面流过,药液对硅片底部和边沿进行刻蚀。
现有滚轮为表面是平面的滚轮,使少量药液在液体张力的作用下附着于滚轮表面,对硅片底部进行刻蚀。由于附着药液少,需要采用高浓度的药液配合才能保证硅片腐蚀度均匀性,耗酸太多,生产成本高,废酸处理成本高。
发明内容
本发明的目的是提供一种降低酸耗的滚轮结构的设计方法,达到降低酸耗和生产成本、减少酸排量及环境污染的目的。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术解决方案是:一种降低酸耗的滚轮结构的设计方法,由若干表面螺纹结构的滚轮组成;所述的相邻两个滚轮为反向旋转,奇数滚轮螺纹左旋,偶数滚轮螺纹右旋;所述的表面螺纹间距为0.8~1.2mm,螺纹深度为0.7~0.9mm。
本发明的有益效果是明显降低HF和HNO3的使用量,可以减少废酸排放,减轻环境污染。
附图说明
图1 传统滚轮的结构图
图2 本发明中滚轮结构图
图中:A表示螺纹间距;B表示螺纹深度。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步地详细说明。
在本具体实施方式中,采用本发明的滚轮设计结构(实验方案一)和传统的滚轮结构(实验方案二)进行对比。本发明的滚轮设计结构,在本实验中由26根滚轮组成,螺纹间距为1.0mm,螺纹深度为0.8mm;相邻两个滚轮为反向旋转,其中排列在奇数位的滚轮左旋,排列在偶数位的滚轮右旋;滚轮材料选用耐酸碱强度好的PVDF材料。在使用过程中,可以吸附更多的药液附着于滚轮上,可以使药液于硅片表面恰好形成接触,而不会导致过刻或者漏刻。在上述两种实验方案中,使用相同数量的硅片、相同浓度的化学药液进行实验,实验结果如下表所示:
通过对上述两个实验方案的实验数据进行对比分析,可知,HNO3使用量减少到原来的43.47%,HF使用量减少到原来的48.38%,明显降低HF和HNO3的使用量,可以减少废酸排放,减轻环境污染。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造