[发明专利]APD暗电流补偿模拟前端电路及APD暗电流补偿方法

权利要求书

1.一种APD暗电流补偿模拟前端电路(100)，其特征在于，包括APD光电转换子电路(101)、APD暗电流补偿子电路(102)、双通道匹配子电路(103)、全差分放大子电路(104)及缓冲子电路(105)；其中，

所述双通道匹配子电路(103)的第一输入端与第二输入端分别电连接所述APD光电转换子电路(101)与所述APD暗电流补偿子电路(102)；

所述全差分放大子电路(104)电连接于所述双通道匹配子电路(103)与所述缓冲子电路(105)之间。

2.根据权利要求1所述的APD暗电流补偿模拟前端电路(100)，其特征在于，所述APD暗电流补偿子电路(102)包括运算放大器(AMP)、可变电阻器(R_EXT)、第一MOS管(M1)第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)；其中，

所述第二MOS管(M2)、所述第一MOS管(M1)及所述可变电阻器(R_EXT)依次串接于电源端(VDD)与接地端(GND)之间；

所述运算放大器(AMP)的同相输入端电连接参考电压端(V_ref)，反相输入端电连接所述第一MOS管(M1)的源极，输出端电连接所述第一MOS管(M1)的栅极；

所述第二MOS管(M2)的栅极与漏极相连；

所述第三MOS管(M3)的栅极电连接所述第二MOS管(M2)的栅极，源极电连接所述电源端(VDD)，漏极作为所述APD暗电流补偿子电路(102)的输出端电连接所述双通道匹配子电路(103)的第二输入端。

3.根据权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述双通道匹配子电路(103)包括第一开环放大器(A1)、第二开环放大器(A2)、第一反馈器件(X1)及第二反馈器件(X2)；其中，

所述第一开环放大器(A1)中PMOS管的源极电连接所述电源端(VDD)、NMOS管的源极电连接所述接地端(GND)；

所述第二开环放大器(A2)中PMOS管的源极电连接所述电源端(VDD)、NMOS管的源极电连接所述接地端(GND)；

所述第一反馈器件(X1)电连接于所述第一开环放大器(A1)的输入端与输出端之间；

所述第二反馈器件(X2)电连接于所述第二开环放大器(A2)的输入端与输出端之间；

所述第一开环放大器(A1)的输入端为所述双通道匹配子电路(103)的第一输入端电连接所述APD光电转换子电路(101)；所述第二开环放大器(A2)的输入端作为所述双通道匹配子电路(103)的第二输入端电连接所述APD暗电流补偿子电路(102)；

所述第一开环放大器(A1)的输出端作为所述双通道匹配子电路(103)的第一输出端电连接所述全差分放大子电路(104)第一输入端；所述第二开环放大器(A2)的输出端作为所述双通道匹配子电路(103)的第二输出端电连接所述全差分放大子电路(104)第二输入端。

4.根据权利要求3所述的APD暗电流补偿模拟前端电路(100)，其特征在于，所述第一反馈器件(X1)与第二反馈器件(X2)均为电阻器。

5.根据权利要求1所述的APD暗电流补偿模拟前端电路(100)，其特征在于，所述全差分放大子电路(104)由多个结构相同的全差分放大器依次级联形成；其中，

后一级全差分放大器的同相输入端电连接前一级全差分放大器的反相输出端；

后一级全差分放大器的反相输入端电连接前一级全差分放大器的同相输出端。