[发明专利]一种芯片可靠性设计的方法及装置在审
| 申请号： | 201711089861.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107808058A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 付振;陈燕宁;袁远东;张海峰;李书振;李建强;刘芳;马强;裴万里;张虹 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 李晓康,王芳 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 可靠性 设计 方法 装置 | ||
1.一种芯片可靠性设计的方法，其特征在于，包括：
获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，所述待测器件为待测芯片中的器件；
根据所述变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；
建立待测器件的状态侦测模型，实时探测所述待测器件的工作参数；
将所述工作参数与所述边界条件进行对比，在所述工作参数超出所述边界条件相对应的范围时，生成报警信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述建立待测器件的状态侦测模型之后，还包括：
将所述待测器件的紧凑模型和所述状态侦测模型封装为可靠性模型，所述紧凑模型用于描述所述待测器件的器件电学特性。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待测器件的电学参数随时间的变化规律包括：
对待测器件进行可靠性试验，确定所述待测器件的电学参数在所加应力条件下随时间变化的数据组；
根据所述数据组确定电学参数随时间变化的拟合函数。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述工作参数符合所述边界条件时，执行电路仿真设计操作，并在仿真结果满足符合要求时绘制版图。
5.一种芯片可靠性设计的装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，所述待测器件为待测芯片中的器件；
确定模块，用于根据所述变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；
侦测模块，用于建立待测器件的状态侦测模型，实时探测所述待测器件的工作参数；
处理模块，用于将所述工作参数与所述边界条件进行对比，在所述工作参数超出所述边界条件相对应的范围时，生成报警信号。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：封装模块；
在所述侦测模块建立待测器件的状态侦测模型之后，所述封装模块用于将所述待测器件的紧凑模型和所述状态侦测模型封装为可靠性模型，所述紧凑模型用于描述所述待测器件的器件电学特性。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述获取模块用于：对待测器件进行可靠性试验，确定所述待测器件的电学参数在所加应力条件下随时间变化的数据组；根据所述数据组确定电学参数随时间变化的拟合函数。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述处理模块还用于：在所述工作参数符合所述边界条件时，执行电路仿真设计操作，并在仿真结果满足符合要求时绘制版图。
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