[发明专利]砷化镓多晶合成装置

说明书

本发明提出一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性，使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上，可以有效保护石英管、PBN桥和PBN，对石英管的二次利用造成的影响小。

技术领域

本发明涉及一种冷却装置，尤其涉及一种砷化镓多晶合成装置。

背景技术

在水平定向凝固法合成砷化镓多晶时，为了保持合成的顺利完成，原料砷必须过量，在合成完成后，冷却形成的砷颗粒就会不规则地沾在石英管上，而因为石英管的内径仅略大于PBN桥的直径，当石英管上沾有砷颗粒后，在出料时， PBN桥很容易被卡在石英管内，这样也会很容易损伤PBN。砷颗粒沾在石英管上，在清洗后会在石英管壁上留有坑，这些坑会严重影响石英管的二次使用。

因此，有必要设计一种新的砷化镓多晶合成装置以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服上述技术问题，提出一种砷化镓多晶合成装置。

为实现前述目的，本发明采用如下技术方案：一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，所述进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。

作为本发明的进一步改进，所述合成装置还包括连接于进气管另一端的一软管。

作为本发明的进一步改进，所述进气管为石英进气管。

作为本发明的进一步改进，所述软管为橡胶软管。

本合成装置通过增加进气管、软管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性，使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上，可以有效保护石英管、PBN桥和PBN，对石英管的二次利用造成的影响小。

附图说明

图1为本发明砷化镓多晶合成装置的实施例的整体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

砷化镓多晶的一种合成方法为水平定向凝固法，现有技术在利用水平定向凝固法合成砷化镓后，过量的砷会沾在石英管上，不仅在出料过程中会对PBN桥和PBN造成损伤，还会在石英管内表面留下坑，对石英管的二次使用造成影响。

请参阅图1，位于炉膛200内的一种砷化镓多晶合成装置100，包括一石英管110，冷却装置100还包括内置于石英管110内的一石英帽120、一进气管130，进气管130的一端伸入石英管110内且与石英帽120的半球形封闭面相对设置。

在本发明的某些实施例中，合成装置100还包括连接于进气管130另一端的一软管140。

在本发明的某些实施例中，进气管130为石英进气管。

在本发明的某些实施例中，软管140为橡胶软管。

砷化镓多晶合成在石英管110内完成，在合成完毕后开启吹气，冷空气依次通过软管140、进气管130给石英帽120降温，则砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽120内而非石英管110上，沉积完成后，将石英帽120切除，然后再出料，PBN桥、PBN可以很顺利的从石英管110出料，从而有效保护了石英管110、PBN桥和PBN。