[发明专利]一种PEG修饰CuS中空纳米球及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201711088106.1 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107732238A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 苏峰;王庆莉;李道聪 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人： | 汪贵艳 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 peg 修饰 cus 中空 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种PEG修饰CuS中空纳米球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1) 在室温情况下，将CuSO4溶液与PVP按物质的量比为1:100-500进行混合，并置于磁力搅拌器上搅拌形成溶液A；
(2)向溶液A中加入碱溶液进行搅拌，使溶液A的pH值为8.5~9；然后加入N2H4·H2O溶液，经反应制备得Cu2O纳米球；其中CuSO4与N2H4·H2O物质的量比为1:1~1:1.5；
(3)将Cu2O纳米球分散在乙醇与PEG的混合溶液中，搅拌形成溶液B；
(4)向溶液B中加入含有硫源的乙醇溶液，其中硫元素的含量为0.025~0.1mol/L，密封后泵入惰性气体、升温进行纯化，纯化产物经洗涤、烘烤后得PEG修饰CuS复合中空纳米球。
2.根据权利要求1所述的一种PEG修饰CuS中空纳米球的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的CuSO4溶液的浓度为2~6mmol/L，所述PVP的K值为27-32。
3.根据权利要求1所述的一种PEG修饰CuS中空纳米球的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的N2H4·H2O溶液的浓度为0.1~0.3mol/，所述Cu2O纳米球的直径为70~120nm。
4.根据权利要求1所述的一种PEG修饰CuS中空纳米球的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述的硫源为可溶于乙醇的硫化物。
5.根据权利要求4所述的一种PEG修饰CuS中空纳米球的制备方法，其特征在于：所述可溶于乙醇的硫化物为硫脲或辛硫醇。
6.根据权利要求1所述的一种PEG修饰CuS中空纳米球的制备方法，其特征在于：步骤（4）中所述的纯化是指先在惰性气体中以90-95℃保温30~60分钟，然后脱气30~10分钟，最后在140-220℃高温条件下保温60~120分钟；纯化产物的洗涤是指在丙酮与乙醇中洗涤并以4000~6000rpm的转速离心5~15分钟。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的制备方法所制备出的PEG修饰CuS复合中空纳米球。
8.如权利要求7所述的PEG修饰CuS复合中空纳米球的应用，其特征在于：所述PEG修饰CuS复合中空纳米球作为锂硫电池的正极材料。
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