[发明专利]顶端修饰Cu2

权利要求书

1.一种顶端修饰Cu₂O的ZnO纳米棒的异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)配制含Zn²⁺离子的水溶液，并在其中加入溶质，采用恒电位沉积的方法，在导电基底上制备ZnO纳米棒阵列，然后取出，清洗，干燥；

2)配制含Cu²⁺离子的水溶液，将其与甲醇混合，并加入碱调整pH，加入乳酸作为稳定剂，再向其中加入步骤1)制备的ZnO纳米棒阵列，光照一定时间，即得。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述含Zn²⁺离子的水溶液包括但不仅限于Zn(NO₃)₂、ZnCl₂、Zn(CH3COO)₂的水溶液；和/或，

步骤1)中所述含Zn²⁺离子的水溶液中Zn²⁺的浓度为0.001～0.05mol·L^-1。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述溶质为乙二胺，环六亚甲基四胺或KCl；和/或，

步骤1)中所述溶质在所述含Zn²⁺离子的水溶液中的浓度范围为0.03～0.1mol·L^-1。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，恒电位沉积法使用三电极体系，以导电基底为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述恒电位沉积法采用电位范围为-1.1～-1.0V；和/或，所述恒电位沉积法控制时间为60～150min；和/或，所述恒电位沉积过程中控制温度范围为70～85℃。

6.根据权利要求1、2、5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述含Cu²⁺离子的水溶液包括但不仅限于CuSO₄、CuCl₂、Cu(CH₃COO)₂的铜盐水溶液；和/或，

骤2)中所述含Cu²⁺离子的水溶液中Cu²⁺的浓度范围为0.0001～0.001mol·L^-1，甲醇质量分数为5％，pH控制为9.0；和/或，

步骤2)中所述所述碱包括但不仅限于NaOH、KOH和NH₄OH；和/或，

步骤2)中所述光照时间控制为0～30min。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤2)所用光源为紫外光或白光。

8.权利要求1-7任一项所述方法制备的顶端修饰Cu₂O的ZnO纳米棒的异质结。

9.根据权利要求8所述的顶端修饰Cu₂O的ZnO纳米棒的异质结，其包括导电基底、ZnO纳米棒层和Cu₂O层，所述导电基底为导电材料，所述ZnO纳米棒层生长于所述导电基底表面，所述Cu₂O层修饰于所述ZnO纳米棒层顶端。

10.根据权利要求9所述的顶端修饰Cu₂O的ZnO纳米棒的异质结，其特征在于，所述导电基底为FTO导电玻璃；和/或，所述ZnO纳米棒呈六棱柱结构，直径为80～150nm。